ウェーハ検査装置メーカー15社を比較 パターン・材料・検査面別の選び方

最終更新日:2026年07月24日

ウェーハ検査装置は、パーティクルやスクラッチを探す装置だけではありません。パターンの有無、Si・SiC・GaNなどの材料、表面・裏面・エッジ・内部のどこを見るかで、適する検査方式と装置が変わります。

メーカーを比較するときは、検出感度だけでなく、対応ウェーハ径、処理能力、過検出の抑制、欠陥座標・画像の出力、レビュー装置やMESとの連携まで同じ条件で確認することが重要です。

目次

ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社15社の比較表

対象ウェーハ・検査面、主な方式・検出対象、型番・対応径・処理能力を整理しています。感度や処理能力はサンプルと検査条件で変わるため、同じ条件の実機評価で比較してください。

会社名 サービスの特徴 対象ウェーハ・検査面 主な方式・検出対象 型番・対応径・処理能力

KLA Corporation

パターン付き・未パターンウェーハを光学と電子線で検査

パターン付き・未パターン/表面・裏面・エッジ/先端パッケージ
ブロードバンドプラズマ光学、レーザー散乱、電子線検査・レビュー、AI欠陥分類
39xx・29xx・C30x・Surfscan・eDR。C30xは200mm・300mmのレガシーノードに対応

株式会社日立ハイテク

LSシリーズとDI4600で未パターン・パターン付き検査に対応

未パターン300mm/パターン付き/表面・裏面
レーザー散乱、暗視野検査、DIC検査、欠陥座標出力、レビューSEM連携
LS9300AD・LS9600・DI4600。LSシリーズはφ300mmに対応

レーザーテック株式会社

SiC・GaN・エッジ・下層欠陥を用途別装置で検査

SiC・GaNのベア/エピウェーハ、表面、エッジ、下層欠陥
表面・PL同時検査、多波長光学、エッジ検査、3D形状、レビュー・自動分類
SICA88は6インチSiCで10WPH。用途別のウェーハ関連システムを展開

株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ

ZIシリーズでパターン付きウェーハを全面検査

パターン付きウェーハ/100mm~300mm/パワーデバイス・CIS・MEMS
ラインセンサー全面検査、解像度別レンズ自動切替、CD・オーバーレイ測定オプション
ZI-3600は100~300mm、1µm以下の欠陥検出に対応。ZI-2000は76~200mm

Onto Innovation Inc.

未パターン検査から先端パッケージのマクロ検査まで展開

未パターン・パターン付きウェーハ、パネル、積層ダイ、先端パッケージ
欠陥検査、マクロ検査、2Dラインスキャン、3D計測、プロセス制御ソフトウェア
PrimaScan・Dragonflyなど。対応径・処理能力は装置構成と検査条件ごとに確認

Applied Materials, Inc.

HawkEyeでパターン付きウェーハの暗視野欠陥検査に対応

パターン付きウェーハ/エッチング・CMP・成膜・リソグラフィ後
暗視野光学検査、パーティクル・パターン欠陥・スクラッチ・ハンプ検出
HawkEye Optical Wafer Inspection System。対応径・処理能力は構成ごとに確認

Nikon Precision Inc.

マクロ・ミクロ検査でポストデベロップとポストエッチに対応

ポストデベロップ・ポストエッチ/ウェーハ全面/イメージセンサー
マクロ・ミクロ光学検査、ウェーハ全面検査、専用照明、ウェーハローディング
OPTISTATION-3000・AMI-5700。処理能力などの詳細仕様は用途ごとに確認

タカノ株式会社

WMシリーズで未パターンウェーハの表面粒子を検査

未パターンのベア・膜付きウェーハ/200mm以下・300mm
レーザーダイオード、スパイラル走査、表面粒子検出、電子線レビュー座標連携
WM-10Rは~300mm・48nm、WM-7SRは~200mm・79nm(61nmオプション)

Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd.

形状・汚染・チッピング・マイクロクラックを複合評価

ウェーハ形状、表面汚染、エッジ、チッピング、マイクロクラック
非接触形状計測、表面汚染分析、イメージング、チッピング・クラック検査
用途別のウェーハ計測・検査製品群。対応径・処理能力は対象装置ごとに確認

東京エレクトロン デバイス株式会社

150mm・200mmのSiCウェーハを表裏面・端面まで検査

SiC・SiCエピウェーハ/150mm・200mm/表面・裏面・端面・面内
専用ラインセンサー、欠陥抽出・分類、色ムラ検知、表裏面・端面マルチ検査
30~90秒/ウェーハ、2~10カセット、アライナー・IDリーダー・GEM対応

Nova Ltd.

寸法・材料・化学メトロロジーでウェーハ工程を管理

ロジック・メモリー・先端パッケージ/薄膜・形状・材料・化学状態
光学散乱計測、干渉計測、ラマン、XRF、SIMS、化学分析、AIモデリング
Nova i570・Prism・VeraFlex・Metrion・Ancolyzerなど。仕様は製品別に確認

コマツNTC株式会社

1台で寸法・欠け・異物・反りなど多項目を全自動検査

φ300mmまで/表面・裏面・外縁部/ウェーハ素材・工程品
自動搬送、画像処理、レーザーセンサー、寸法・欠け・異物・板厚・反り検査
φ300mmまで。20項目検査で20秒/枚、装置寸法3,600×1,200×1,900mm

株式会社神戸製鋼所

平坦度・エッジ形状・貼り合わせずれ・チッピングを計測

Si・SiCウェーハ/平坦度・厚さ・反り/エッジ・ノッチ・貼り合わせ
静電容量・レーザー変位、ヘテロダイン干渉、光学画像処理、ラインスキャン
SBW・LSW・LNSW、LEP・EPB・LEIシリーズ。取扱会社はコベルコ科研

東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社

電子線とDie to Databaseで微細パターン欠陥を検査

パターン付きウェーハ/NAND・DRAM・ロジック/微細パターン
広視野電子顕微鏡、Die to Database、パターン欠陥検査、2次元多点寸法計測
NGR5000・NGR3500シリーズ。対応径・処理能力は対象工程ごとに確認

株式会社リガク

X線トポグラフでSiC・GaNなどの結晶欠陥を非破壊検査

Si・SiC・GaN・InP・GaAs・AlN・Ga2O3・サファイア/300mmまで
X線トポグラフ、透過法・反射法、結晶欠陥マッピング、非破壊内部検査
XRTmicronは300mmまで、Near-Fab・Fab構成は75~300mm。KLARF出力対応

ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社15社の特徴

KLA Corporation

パターン付き・未パターンウェーハを光学と電子線で検査

KLA Corporationは、チップ製造とウェーハ製造の両方に向けて、パターン付き・未パターンウェーハの欠陥検査、光学検査、電子線検査、欠陥レビューを展開しています。表面だけでなく裏面やエッジの欠陥にも対応する製品群があり、欠陥の検出から分類、工程監視までを一つのプロセス制御環境で構成できます。

39xx・29xxシリーズは先端ロジックやメモリーのパターン欠陥検査、C30xシリーズは200mm・300mmのレガシーノード向け検査で候補になります。検査装置と電子線レビュー、解析ソフトウェアを連携させ、量産ライン全体で欠陥情報を活用したい場合に適しています。

KLA Corporationの会社概要

会社名KLA Corporation
主な対応領域ウェーハ欠陥検査、電子線レビュー、計測、プロセス制御
公式URLhttps://www.kla.com/products/chip-manufacturing/defect-inspection-review

株式会社日立ハイテク

LSシリーズとDI4600で未パターン・パターン付き検査に対応

株式会社日立ハイテクは、未パターンウェーハ向けのLSシリーズと、パターン付きウェーハ向けの暗視野式検査装置DI4600を展開しています。LSシリーズはレーザー散乱を用いて鏡面ウェーハ上の微小異物、スクラッチ、ウォーターマークなどを検出し、ウェーハ出荷・受入検査やプロセス装置の清浄度管理に利用できます。

LS9300ADは表面・裏面の検査とDIC検査に対応し、DI4600はパターン付きウェーハの高速モニタリングに向きます。欠陥座標をレビューSEMへ渡し、検出後の観察や分類までつなげたい量産ラインで比較しやすいメーカーです。

株式会社日立ハイテクの会社概要

会社名株式会社日立ハイテク
主な対応領域ウェーハ表面検査、暗視野欠陥検査、欠陥レビュー
公式URLhttps://www.hitachi-hightech.com/jp/ja/products/semiconductor-manufacturing/cd-sem/inspection-solution/ls.html

レーザーテック株式会社

SiC・GaN・エッジ・下層欠陥を用途別装置で検査

レーザーテック株式会社は、SiC・GaNウェーハ、ウェーハエッジ、下層欠陥など、材料や欠陥モードに合わせたウェーハ検査・計測システムを展開しています。SICA88は表面検査とフォトルミネッセンス検査を一台で行い、SiCベアウェーハとエピウェーハの表面欠陥、BPD、SFなどを検出・分類できます。

SICA88の処理能力は6インチウェーハで10WPHです。SiC・GaNの材料欠陥、エピ成長後の欠陥、エッジ・ベベル起因の歩留まり課題を切り分け、検査画像と欠陥マップを使って研究開発から量産管理へ展開したい場合に適しています。

レーザーテック株式会社の会社概要

会社名レーザーテック株式会社
主な対応領域SiC・GaNウェーハ検査、エッジ検査、半導体計測
公式URLhttps://www.lasertec.co.jp/en/products/semiconductor/

株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ

ZIシリーズでパターン付きウェーハを全面検査

株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズは、パターン付きウェーハ外観検査装置ZIシリーズを展開しています。ZI-3600はラインセンサーでウェーハ全面を走査し、分解能の異なる3種類の対物レンズを自動で切り替えながら、マクロ欠陥から1µm以下の微細欠陥まで検出します。

ZI-3600は100~300mm、ZI-2000は76~200mmのウェーハに対応します。パワーデバイス、CIS、MEMSなどのパターン付きウェーハを対象に、品種変更時のレシピ作成や薄ウェーハ対応も含めて検討したい場合に向いています。

株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズの会社概要

会社名株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ
主な対応領域パターン付きウェーハ外観検査、膜厚・CD・オーバーレイ測定
公式URLhttps://www.screen.co.jp/spe/products/zi-3600

Onto Innovation Inc.

未パターン検査から先端パッケージのマクロ検査まで展開

Onto Innovation Inc.は、ウェーハ製造、デバイス製造、先端パッケージ向けに検査・計測プラットフォームを展開しています。PrimaScanは未パターンウェーハの表面欠陥や形状評価、Dragonflyはパターン付きウェーハやパネル、先端パッケージのマクロ欠陥・計測で候補になります。

欠陥検査だけでなく、2D・3D計測、リソグラフィ、解析ソフトウェアを組み合わせ、ウェーハメーカーの品質管理からチップレット・先端パッケージ工程までつなげたい場合に向いています。対応径や処理能力は選定する装置と検査条件に合わせて確認が必要です。

Onto Innovation Inc.の会社概要

会社名Onto Innovation Inc.
主な対応領域ウェーハ・パネル・先端パッケージの検査、計測、プロセス制御
公式URLhttps://ontoinnovation.com/product-categories/inspection/

Applied Materials, Inc.

HawkEyeでパターン付きウェーハの暗視野欠陥検査に対応

Applied Materials, Inc.のHawkEye Optical Wafer Inspection Systemは、パターン付きウェーハの暗視野欠陥検査に用いる装置です。エッチング、CMP、成膜、リソグラフィ、イオン注入などの工程後に、パーティクル、スクラッチ、パターン欠陥、ハンプなどを検出します。

プロセス装置と検査・計測を同じ製造工程の中で設計し、ICAPS領域を含む量産ラインで検査頻度を高めたい場合に候補になります。ウェーハ径、感度、処理能力は対象デバイスと検査レシピによって変わるため、サンプル評価と同じ条件で確認する必要があります。

Applied Materials, Inc.の会社概要

会社名Applied Materials, Inc.
主な対応領域半導体プロセス装置、パターン付きウェーハ光学検査
公式URLhttps://www.appliedmaterials.com/us/en/product-library/hawkeye-optical-inspection.html

Nikon Precision Inc.

マクロ・ミクロ検査でポストデベロップとポストエッチに対応

Nikon Precision Inc.は、半導体露光装置に加えて、OPTISTATION-3000シリーズとAMI-5700などの半導体検査システムを展開しています。OPTISTATION-3000はマクロ・ミクロ検査、AMIシリーズはウェーハ全面の高スループット検査に対応します。

ポストデベロップやポストエッチの外観確認、ウェーハ全面のマクロ欠陥検査、イメージセンサー検査用の照明まで含めて光学系を検討したい場合に向いています。処理能力や対応径は対象装置と構成に合わせて確認します。

Nikon Precision Inc.の会社概要

会社名Nikon Precision Inc.
主な対応領域半導体検査システム、マクロ・ミクロ光学検査、専用照明
公式URLhttps://www.nikonprecision.com/products-and-technology/semiconductor-inspection-systems/

タカノ株式会社

WMシリーズで未パターンウェーハの表面粒子を検査

タカノ株式会社のWMシリーズは、未パターンのベアウェーハと膜付きウェーハを対象に、レーザーダイオードとスパイラル走査で表面粒子を検出する装置です。WM-10Rは300mm、WM-7SRは200mm以下のウェーハ向けに構成されています。

公式仕様では、WM-10Rはベアウェーハで48nm、WM-7SRは79nmで、61nmのオプションが示されています。検出したXY座標を電子線レビュー装置へ渡せるため、受入・出荷検査と欠陥レビューをつなげたい場合に向いています。

タカノ株式会社の会社概要

会社名タカノ株式会社
主な対応領域未パターンウェーハ表面検査、画像処理検査、欠陥座標出力
公式URLhttps://www.takano-kensa.com/kensa/en/products/semiconductor/wm/

Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd.

形状・汚染・チッピング・マイクロクラックを複合評価

Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd.は、ウェーハ形状、表面汚染、チッピング、エッジ欠陥、マイクロクラックなどを対象とする計測・検査装置を展開しています。外観画像だけでなく、形状や汚染など材料品質に関わる複数の評価項目を組み合わせられる点が特徴です。

ウェーハメーカーの工程管理、材料受入・出荷管理、ウェーハリング工程などで、形状・表面・エッジの品質を複合的に見たい場合に候補になります。対応径と処理能力は、選択する検査・計測方式と自動搬送の構成ごとに確認します。

Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd.の会社概要

会社名Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd.
主な対応領域ウェーハ形状・表面汚染・エッジ欠陥の検査と計測
公式URLhttps://semilab.com/category/products/surface-contamination-and-chipping-inspection

東京エレクトロン デバイス株式会社

150mm・200mmのSiCウェーハを表裏面・端面まで検査

東京エレクトロン デバイス株式会社は、SiCウェーハとSiCエピウェーハ向けの欠陥検査装置を提供しています。専用ラインセンサーカメラでウェーハ全体を走査し、表面・裏面・端面に加えて、カーボンインクルージョンやポリタイプなどの面内欠陥を一台で検査できます。

対応ウェーハは150mm・200mm、スループットは検査要件により30~90秒/ウェーハです。2~10カセット、アライナー、IDリーダー、GEMに対応し、サンプル評価も行えるため、SiC量産ラインで感度と過検出、分類精度を実ウェーハで確認したい場合に向いています。

東京エレクトロン デバイス株式会社の会社概要

会社名東京エレクトロン デバイス株式会社
主な対応領域SiCウェーハ・SiCエピウェーハの表裏面・端面・内部欠陥検査
公式URLhttps://www.inrevium.com/product/sic-wafer-inspection/

Nova Ltd.

寸法・材料・化学メトロロジーでウェーハ工程を管理

Nova Ltd.は、ウェーハ上の欠陥を直接探す装置に加え、寸法、薄膜、材料、化学状態を管理するメトロロジー製品を展開しています。Nova i570やPrismなどの寸法計測、VeraFlexやMetrionなどの材料計測、めっき液を含む化学分析を工程管理に利用できます。

欠陥検査装置で異常を検出した後、膜厚、CD、材料組成、化学状態まで原因を切り分け、工程条件へフィードバックしたい場合の関連候補です。単独の外観検査装置ではなく、検査・計測データを組み合わせたプロセス制御を重視するラインに向いています。

Nova Ltd.の会社概要

会社名Nova Ltd.
主な対応領域半導体寸法・材料・化学メトロロジー、プロセス制御
公式URLhttps://www.novami.com/products/products-overview

コマツNTC株式会社

1台で寸法・欠け・異物・反りなど多項目を全自動検査

コマツNTC株式会社の全自動ウェーハ検査装置は、自動搬送と画像処理を組み合わせ、外径・コーナー寸法、欠け、チッピング、汚れ、クラック、ピンホール、異物、板厚、うねり、反りなど複数の検査項目を一台へ集約できます。従来検査が難しかった外縁部にも対応します。

対応ワーク寸法の上限はφ300mmで、公式仕様では20項目の検査で20秒/枚です。OK・NG判定、欠陥種別、測定データ、画像を保存できるため、検査工程の省人化とトレーサビリティを同時に進めたいウェーハ製造工程に向いています。

コマツNTC株式会社の会社概要

会社名コマツNTC株式会社
主な対応領域全自動ウェーハ外観・寸法検査、画像処理、レーザー計測
公式URLhttps://ntc.komatsu/jp/product/imageprocessing/ipt

株式会社神戸製鋼所

平坦度・エッジ形状・貼り合わせずれ・チッピングを計測

株式会社神戸製鋼所は、ウェーハの平坦度、厚さムラ、Bow、Warp、ナノトポグラフィーを測定するSBW・LSW・LNSWシリーズと、エッジ形状、貼り合わせずれ、チッピングを検査するLEP・EPB・LEIシリーズを展開しています。製品の取扱会社は株式会社コベルコ科研です。

表面上の粒子検査とは異なり、研削・研磨後の形状管理、貼り合わせ工程、エッジ加工後の品質確認を重視する場合に候補になります。ウェーハ全面の欠陥検査と併用し、形状異常やエッジ起因の不良を別工程で管理したい場合に適しています。

株式会社神戸製鋼所の会社概要

会社名株式会社神戸製鋼所
主な対応領域ウェーハ平坦度・形状計測、エッジ・ノッチ・チッピング検査
公式URLhttps://www.kobelco.co.jp/products/industry/semiconductor/wafer.html

東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社

電子線とDie to Databaseで微細パターン欠陥を検査

東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社は、電子線式半導体ウェーハパターン検査装置NGR5000・NGR3500シリーズを展開しています。広視野電子顕微鏡画像とDie to Databaseアルゴリズムを用いて、パターン欠陥の検査とパターン寸法の2次元多点計測を行います。

NGR5000シリーズは多層化するNAND、微細化するDRAMやロジック向けです。光学検査だけでは切り分けにくい微細パターン欠陥を高感度で検査し、工程へ早くフィードバックしたい先端デバイス製造で比較しやすいメーカーです。

東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社の会社概要

会社名東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社
主な対応領域電子線式ウェーハパターン検査、パターン寸法計測
公式URLhttps://www.toray-eng.co.jp/tasmit/products/semicon/

株式会社リガク

X線トポグラフでSiC・GaNなどの結晶欠陥を非破壊検査

株式会社リガクのXRTmicronシリーズは、X線トポグラフを用いて、Si、SiC、GaN、InP、GaAs、AlN、Ga2O3、サファイアなどの単結晶材料にある結晶欠陥を非破壊で検出・定量評価します。透過法と反射法を一台で使い分け、深さ方向の欠陥構造も調べられます。

300mmまでのウェーハに対応し、Near-Fab・Fab構成では75~300mmの自動搬送、欠陥マッピング、SEMI規格に沿ったレポート、KLARF出力が可能です。表面外観ではなく、SiCのTSD・BPDなど結晶内部の欠陥を研究開発から量産管理まで追いたい場合に向いています。

株式会社リガクの会社概要

会社名株式会社リガク
主な対応領域X線トポグラフ、化合物半導体・パワーデバイスの結晶欠陥検査
公式URLhttps://rigaku.com/ja/products/semiconductor-metrology/xrt

ウェーハ検査装置の選び方を4つの軸で整理

候補を絞る前に、ウェーハの状態、材料、検査面、検出対象を分けます。同じ「ウェーハ検査装置」でも、未パターン表面の粒子検査と、パターン付きウェーハの電子線検査、SiC内部の結晶欠陥検査では、原理も処理能力も異なります。

選定軸主な区分比較すべき仕様
ウェーハ状態未パターン、パターン付き、エピ、薄ウェーハ、貼り合わせ検査アルゴリズム、搬送方式、保持方法、レシピ切替
材料Si、SiC、GaN、GaAs、InP、サファイアなど光学条件、材料固有の欠陥分類、透過・反射特性
検査面表面、裏面、エッジ・ベベル、面内・内部一台で検査できる範囲、反転・エッジ搬送、死角
検出対象粒子、傷、パターン欠陥、反り、膜厚、結晶欠陥検出感度、過検出、WPH、座標・画像・KLARF出力

未パターンウェーハ検査装置の選び方

未パターンウェーハでは、パーティクル、スクラッチ、ウォーターマーク、COP、研磨・成膜起因の平坦欠陥などが主な対象です。レーザー散乱式はウェーハ全面を高速に検査しやすく、受入・出荷検査、プロセス装置の清浄度監視、材料評価に使われます。

選定時は公称検出感度だけでなく、背景ノイズが異なるベアウェーハと膜付きウェーハの両方で、見逃しと過検出を確認します。表面・裏面の反転、エッジグリップ、欠陥座標をレビューSEMへ渡せるかも量産運用に影響します。

パターン付きウェーハ検査装置の選び方

パターン付きウェーハでは、隣接ダイ比較、セル比較、設計データとの比較などで、ランダム欠陥とシステマチック欠陥を抽出します。光学式は全面検査の処理能力を確保しやすく、電子線式は微細パターンや電位差に由来する欠陥を詳しく検出できます。

光学式と電子線式はどちらか一方を選ぶだけではなく、光学検査で広くスクリーニングし、欠陥座標を電子線レビューへ渡す構成も有効です。対象ノード、レイヤー、パターン密度、必要なサンプリング率を決めてから、感度とWPHのバランスを評価します。

SiC・GaNウェーハ検査装置の選び方

SiC・GaNでは、表面の傷や粒子に加えて、エピ欠陥、BPD、TSD、マイクロパイプ、ポリタイプ、カーボンインクルージョンなど、材料固有の欠陥を扱います。表面光学、フォトルミネッセンス、X線トポグラフなど、目的の違う方式を組み合わせる必要があります。

外観欠陥の検査では、表面・裏面・端面を一台で扱えるか、材料固有の色ムラや内部欠陥を分類できるかを確認します。結晶欠陥の評価では、非破壊で全面マッピングできるか、SEMI規格に沿った集計やKLARF出力ができるかが判断材料になります。

表面・裏面・エッジ・内部検査の違い

検査面主な欠陥装置選定の注意点
表面粒子、スクラッチ、ヘイズ、パターン欠陥、膜ムラ感度とWPH、背景ノイズ抑制、過検出、全面走査方式
裏面汚れ、傷、付着物、搬送・吸着由来の欠陥反転機構、表裏の連続検査、裏面保持時の死角
エッジ・ベベルチッピング、クラック、剥離、汚染、貼り合わせずれ全周撮像、ノッチ部、3D形状、エッジ保持方式
内部・面内結晶転位、インクルージョン、ポリタイプ、深さ方向の欠陥PL・X線などの方式、透過・反射、欠陥マッピング

光学・レーザー散乱・電子線・X線の使い分け

方式向いている検査確認する仕様
明視野・暗視野光学パターン付きウェーハの全面検査、マクロ・微細外観欠陥波長、照明角度、レンズ分解能、ダイ比較、WPH
レーザー散乱未パターンウェーハの粒子・微小表面欠陥検出感度、背景ノイズ、表裏面、座標精度、レビュー連携
電子線微細パターン、電位差欠陥、高アスペクト比構造分解能、検査面積、処理能力、チャージ対策、光学検査連携
PL・X線SiC・GaNなどの結晶欠陥、内部・面内欠陥対象材料、透過・反射、深さ情報、全面マッピング、規格出力

型番・検出感度・WPH・対応径を同じ条件で比較する

検出感度は、PSL粒子、欠陥の材質、高さ、形状、膜構成、照明条件によって変わります。「○nm」という数値だけを横並びにせず、どの標準粒子または実欠陥を、どのウェーハ表面で検出した値なのかをそろえます。

  • 型番と検査方式が現在販売されている構成か
  • 対応径が150mm、200mm、300mmのどこまでか
  • 薄ウェーハ、反りウェーハ、エッジグリップに対応するか
  • 感度の条件がPSL粒子か実欠陥か、ベアか膜付きか
  • WPHまたは秒/ウェーハに搬送・レシピ切替時間を含むか
  • 全面検査かサンプリング検査か
  • 欠陥座標、画像、KLARF、CSVを出力できるか

サンプル評価で見逃し・過検出・再現性を確認する

導入前のサンプル評価では、良品と不良品だけでなく、量産中に判断が分かれる限度見本を用意します。欠陥の種類、位置、サイズが分かるサンプルと、ウェーハごとの表面ばらつきを含む複数枚を使うと、見逃し率と過検出率を現実的に評価できます。

  1. 見逃しを許容できない欠陥と、許容する外観差を定義する
  2. 欠陥種別ごとに正解データを用意する
  3. 複数回測定し、同じ欠陥を同じ座標・分類で再現できるかを見る
  4. 量産レシピで処理能力、品種切替、オペレーター操作を確認する
  5. レビューSEM、MES、SPC、歩留まり解析へのデータ受け渡しを試す

導入費用は本体価格だけでなくTCOで比較する

ウェーハ検査装置の費用は、検査ヘッド、搬送機構、ロードポート、レビュー機能、解析ソフトウェア、ライン接続、設置環境、保守契約で変わります。見積もりでは、本体価格に加えて立ち上げと量産後の運用費をそろえます。

費用項目確認内容
装置・オプション検査ヘッド、表裏・エッジ機構、ロードポート、IDリーダー、レビュー機能
立ち上げ搬入、ユーティリティ、クリーンルーム対応、レシピ作成、サンプル評価
システム連携SECS/GEM、GEM300、MES、SPC、KLARF、画像保存容量
保守・消耗品光源、検出器、校正、定期保守、障害対応、部品供給期間
運用検査時間、再検査、過検出のレビュー工数、レシピ管理、教育

ウェーハ検査装置とあわせて確認したい記事

ウェーハ検査装置に関するよくある質問

ウェーハ検査装置と半導体検査装置の違いは何ですか

ウェーハ検査装置は、ウェーハの表面、裏面、エッジ、内部にある欠陥や形状異常を調べる装置です。半導体検査装置はさらに広い概念で、フォトマスク検査、CD・膜厚計測、電気特性を調べるテスター・プローバ、後工程の外観検査なども含みます。

未パターンとパターン付きで同じ装置を使えますか

一つのメーカーが両方の製品を持つことはありますが、検査原理とアルゴリズムは異なります。未パターンではレーザー散乱による粒子・表面欠陥検査、パターン付きではダイ比較や設計データ比較によるパターン欠陥抽出が中心です。

SiCウェーハでは表面検査だけで十分ですか

表面欠陥だけでなく、エピ欠陥、結晶転位、内部欠陥、端面のチッピングなどを管理する必要があります。表面光学、PL、X線トポグラフなど、検出したい欠陥に合う方式を組み合わせます。

WPHが高い装置を選べば量産性も高くなりますか

カタログ上のWPHだけでは判断できません。搬送、アライメント、品種切替、再検査、過検出のレビューまで含めた実効処理能力を、量産レシピに近い条件で確認する必要があります。

ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社のまとめ

ウェーハ検査装置は、ウェーハの状態、材料、検査面、検出対象の4軸を決めると候補を絞りやすくなります。未パターン表面の粒子検査、パターン付きウェーハの欠陥検査、SiC・GaNの結晶欠陥検査を同じ仕様だけで比較することはできません。

候補装置を絞った後は、実ウェーハを使ったサンプル評価で、感度、見逃し、過検出、再現性、実効処理能力、データ連携を確認します。装置本体だけでなく、レビュー工程とライン接続まで含めて比較することが、量産後の運用負荷を抑えるポイントです。

免責事項

掲載内容は2026年7月時点で確認した各社公式サイト・製品ページをもとにしています。装置の販売状況、型番、対応ウェーハ、検出感度、処理能力、オプション、保守範囲は変更される場合があります。導入時は対象サンプルと量産条件を各社へ提示し、最新仕様とサンプル評価結果をご確認ください。