ウェーハ検査装置は、半導体製造工程で発生するパーティクル、スクラッチ、パターン欠陥、エッジ欠陥、膜厚・形状異常などを検出し、歩留まり改善や工程管理に役立つ設備です。
導入時はメーカー名だけでなく、検査対象のウェーハ、工程、検出したい欠陥、ライン連携、レビュー・分類・データ活用まで比較する必要があります。
ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社11選の比較表
対応工程・ウェーハ、検査方式・検出対象、向いている導入目的をもとに比較しています。実際の検出可否は、対象ウェーハや欠陥サンプル、量産条件によって変わるため、サンプル評価で確認しましょう。
| 会社名 | サービスの特徴 | 対応工程・ウェーハ | 検査方式・検出対象 | 向いている導入目的 |
|---|---|---|---|---|
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KLA Corporation |
チップ製造から先端パッケージまでウェーハ欠陥検査・レビューを展開 |
パターン付きウェーハ、未パターンウェーハ、先端パッケージ、電子線レビュー
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光学検査、電子線検査、欠陥レビュー、マクロ検査、プロセス制御ソフトウェア
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前工程の欠陥検出、微細欠陥レビュー、先端ノード・先端パッケージの工程管理
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株式会社日立ハイテク |
LSシリーズとDIシリーズで未パターン・パターン付きウェーハの欠陥検査に対応 |
未パターンウェーハ、パターン付きウェーハ、200mm・300mm工程
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レーザー散乱、暗視野欠陥検査、ウェーハ表面検査、欠陥座標取得
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入荷検査、出荷検査、プロセス装置モニタリング、工程内の欠陥管理
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レーザーテック株式会社 |
SiC・GaN・エッジ・下層欠陥など用途別のウェーハ検査装置を展開 |
SiCウェーハ、GaNウェーハ、ウェーハエッジ、下層欠陥、膜厚・CDモニタリング
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多波長検査、エッジ検査、3Dプロファイル、SiC検査・レビュー、下層欠陥検査
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パワー半導体、化合物半導体、ウェーハエッジ起因の歩留まり課題、研究開発
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株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ |
ZIシリーズでパターン付きウェーハ外観検査に対応 |
パターン付きウェーハ、100mmから300mm、パワーデバイス、CIS、MEMS
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ウェーハパターン検査、外観検査、高解像度検査、複数解像度レンズ
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次世代パワーデバイス、CIS、MEMSの安定生産、パターン外観検査の効率化
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Onto Innovation Inc. |
未パターン欠陥検査からパターン付きウェーハ・パッケージ検査まで対応 |
未パターンウェーハ、パターン付きウェーハ、パネル、積層ダイ、先端パッケージ
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欠陥検査、マクロ検査、メトロロジー、2Dラインスキャン、プロセス制御
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ウェーハメーカーの品質管理、チップメーカーのマクロ欠陥検査、先端パッケージ工程
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Applied Materials, Inc. |
HawkEyeでパターン付きウェーハの暗視野欠陥検査に対応 |
パターン付きウェーハ、エッチング後、CMP後、成膜後、リソグラフィ後、イオン注入後
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暗視野光学検査、パーティクル、パターン欠陥、スクラッチ、ハンプ検出
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ICAPS領域、ロジック・メモリ・自動車向け半導体の工程内検査
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Nikon Precision Inc. |
OPTISTATIONとAMIでウェーハ全面のマクロ・ミクロ検査に対応 |
ポストデベロップ、ポストエッチ、ウェーハ全面、マクロ・ミクロ検査
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半導体検査システム、マクロ検査、ミクロ検査、専用照明、ウェーハローダー
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ウェーハ全面検査、フォト工程・エッチング工程後の外観確認、研究開発・量産検査
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タカノ株式会社 |
WMシリーズで未パターンウェーハ表面のパーティクル検査に対応 |
未パターンウェーハ、300mmウェーハ、200mm以下ウェーハ、ベアウェーハ
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ウェーハ表面検査、パーティクル検出、外観検査、画像処理
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ベアウェーハの工程管理、出荷・受入検査、パーティクル管理
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Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd. |
ウェーハ形状・表面汚染・チッピング・欠陥検査に関連する計測装置を展開 |
ウェーハ形状、表面汚染、チッピング、エッジ欠陥、ウェーハリング工程
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非接触形状測定、イメージング、表面汚染検査、チッピング検査、マイクロクラック検査
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ウェーハメーカーの工程管理、材料評価、形状・欠陥・汚染の複合評価
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Tokyo Electron Device America, Inc. |
ウェーハレベル検査やSiC関連検査ソリューションを提供 |
Siウェーハ、SiCウェーハ、ウェーハレベル検査、レガシーノード
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ウェーハパターン欠陥検査、Siウェーハ欠陥検査、UV照射を用いたSiC評価
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レガシーノードの検査強化、SiCウェーハ評価、外観欠陥の自動検査
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Nova Ltd. |
半導体製造向けの材料・寸法・化学メトロロジーとプロセス制御を提供 |
ウェーハ製造工程、ロジック、メモリ、先端パッケージ、特殊デバイス
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寸法メトロロジー、材料メトロロジー、化学メトロロジー、AIソフトウェア
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欠陥検査とあわせて膜厚・寸法・材料特性を工程管理したいライン
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ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社11選の詳細
ウェーハ検査装置の選び方
ウェーハ検査装置は、装置名やメーカー知名度だけで選ぶと、実工程に合わない可能性があります。検査対象が未パターンウェーハなのか、パターン付きウェーハなのか、SiCやGaNなどの化合物半導体なのか、後工程・先端パッケージなのかによって、必要な検査方式が変わります。
導入前には、対象ウェーハ、工程、検出したい欠陥、必要なスループット、レビュー・分類方法、上位システムとの連携、サンプル評価の条件を整理しましょう。
検査対象のウェーハで候補を絞る
ウェーハ検査装置の比較では、まず検査対象を分ける必要があります。未パターンウェーハとパターン付きウェーハでは、検出原理や判定方法、取得したいデータが異なるためです。
| 検査対象 | 主な目的 | 装置選定で見る点 |
|---|---|---|
| 未パターンウェーハ | パーティクル、スクラッチ、表面欠陥、汚染、チッピングの検出 | レーザー散乱、表面反射、エッジ・裏面対応、入荷・出荷検査の運用 |
| パターン付きウェーハ | パターン欠陥、工程由来欠陥、ランダム欠陥、システマチック欠陥の検出 | ダイ比較、暗視野・明視野、電子線レビュー、欠陥座標連携 |
| SiC・GaNウェーハ | 結晶欠陥、表面欠陥、エピ成長後の異常、パワーデバイス向け評価 | 材料特性に合う光学条件、レビュー機能、専用検査レシピ、欠陥分類 |
| ウェーハエッジ・ベベル | エッジ欠陥、チッピング、剥離、汚染、後工程で問題化する欠陥の把握 | エッジ専用光学系、3Dプロファイル、分類精度、搬送時の保持方式 |
| 先端パッケージ・後工程 | バンプ、再配線、パネル、積層ダイ、パッケージ外観の欠陥検査 | マクロ検査、2D/3D計測、パネル対応、検査データと工程管理の連携 |
検出したい欠陥を工程別に整理する
ウェーハ欠陥は、パーティクル、スクラッチ、ウォーターマーク、膜ムラ、エッジ欠け、パターン欠陥、コンタミ、結晶欠陥など多岐にわたります。検出したい欠陥を工程別に整理すると、検査方式を選びやすくなります。
- 受入・出荷検査:未パターンウェーハのパーティクル、スクラッチ、表面汚染、形状異常
- 成膜・エッチング後:膜厚異常、残渣、スクラッチ、パターン欠陥、パーティクル
- リソグラフィ後:パターン欠陥、現像不良、位置ずれ、ショット内の異常
- CMP後:スクラッチ、パーティクル、ディッシング、表面荒れ
- SiC・GaN工程:結晶欠陥、エピ欠陥、基板由来欠陥、エッジ欠陥
- 先端パッケージ:バンプ欠陥、RDL欠陥、パネル欠陥、積層ダイの外観異常
光学検査・電子線検査・レビューSEMの違い
ウェーハ検査装置は、光学検査、電子線検査、レビューSEM、メトロロジーを組み合わせて使うことが多くあります。全数を高速に見る工程と、欠陥を詳細に確認する工程を分けて考えることが重要です。
| 方式 | 向いている用途 | 見るべき条件 |
|---|---|---|
| 光学検査 | ウェーハ全面の高速検査、パーティクルやマクロ欠陥の検出 | 明視野・暗視野、波長、照明角度、検査速度、検出感度、過検出 |
| 電子線検査 | 微細パターン欠陥、高アスペクト比欠陥、電気的欠陥の把握 | 分解能、スループット、対象工程、レビュー装置との連携 |
| レビューSEM | 光学検査で検出した欠陥の詳細観察・分類 | 欠陥座標連携、ADR/ADC、画像保存、分類精度、解析フロー |
| メトロロジー | 膜厚、CD、オーバーレイ、形状、材料特性の管理 | 測定項目、測定点数、レシピ管理、プロセス制御との連携 |
サンプル評価で確認すべき項目
カタログ上の検出感度だけでは、自社のウェーハや欠陥に対して十分か判断できません。導入前には、実ウェーハ、限度見本、欠陥座標、良品・不良品サンプルを用意し、サンプル評価で検出可否と運用性を確認します。
- 見逃せない欠陥を安定して検出できるか
- 良品表面のばらつきやパターンを過検出しすぎないか
- 欠陥座標、欠陥画像、欠陥分類を既存の解析フローに渡せるか
- 品種切替やレシピ変更を現場で運用できるか
- 搬送方式がウェーハサイズ、薄ウェーハ、エッジ状態に合うか
- MES、SPC、歩留まり解析ソフトウェアと連携できるか
- 量産時のスループット、装置稼働率、保守範囲を確認できるか
ウェーハ検査装置の費用が変わる要素
ウェーハ検査装置の費用は、装置本体だけでなく、検査方式、ウェーハサイズ、対応工程、搬送機構、レビュー機能、ソフトウェア、設置条件、保守契約で変わります。比較時には、同じ前提で見積もり条件をそろえる必要があります。
| 費用が変わる要素 | 内容 |
|---|---|
| 検査方式 | 光学検査、電子線検査、レビューSEM、膜厚・寸法測定など |
| 対象ウェーハ | 100mm、150mm、200mm、300mm、SiC、GaN、薄ウェーハ、パネルなど |
| 検査範囲 | 表面、裏面、エッジ、ベベル、パターン、バンプ、RDLなど |
| 搬送・自動化 | FOUP、カセット、ロードポート、ロボット搬送、既存ライン接続 |
| データ連携 | 欠陥マップ、画像保存、レビュー装置連携、MES/SPC/解析ソフト接続 |
| 保守・立ち上げ | 現地調整、サンプル評価、レシピ作成、オペレーター教育、保守契約 |
関連する製造業向け記事
ウェーハ検査装置は、表面欠陥検査や外観検査の一部でもあります。ただし、半導体ウェーハでは工程、材料、欠陥座標、レビュー、計測データの扱いがより重要になります。近接する検査装置記事もあわせて確認すると、検査対象ごとの違いを整理しやすくなります。
ウェーハ検査装置に関するFAQ
ウェーハ検査装置と外観検査装置の違いは何ですか
外観検査装置は製造物の見た目や表面欠陥を広く検査する装置です。ウェーハ検査装置は半導体ウェーハを対象に、パーティクル、スクラッチ、パターン欠陥、エッジ欠陥、膜厚・寸法異常などを工程管理に使える形で検出・記録する装置です。欠陥座標、レビュー、分類、歩留まり解析との連携が重要になります。
未パターンウェーハとパターン付きウェーハでは同じ装置を使えますか
同じメーカーが両方の装置を持つことはありますが、装置構成や検出原理は異なる場合があります。未パターンウェーハでは表面パーティクルやスクラッチの検出、パターン付きウェーハでは隣接ダイ比較やパターン欠陥の抽出が重要になります。対象ウェーハを分けて候補を確認しましょう。
SiCウェーハ検査では何を確認すべきですか
SiCウェーハでは、結晶欠陥、エピ欠陥、表面欠陥、エッジ欠陥など、シリコンウェーハとは異なる欠陥モードを整理する必要があります。SiC向けの検査・レビュー実績、検査レシピ、欠陥分類、レビュー画像の見やすさ、工程内での使い方を確認しましょう。
導入前のサンプル評価では何を準備すべきですか
良品ウェーハ、不良ウェーハ、限度見本、欠陥座標が分かるサンプル、見逃せない欠陥と許容したい欠陥の基準を準備します。量産工程で使うレシピ、ウェーハサイズ、搬送条件、データ出力形式もあわせて共有すると、導入後の運用に近い条件で評価できます。
ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社のまとめ
ウェーハ検査装置は、半導体製造の歩留まり、品質保証、工程改善に直結する設備です。ただし、検査対象や工程によって、候補にすべきメーカー・装置は大きく変わります。
未パターンウェーハ、パターン付きウェーハ、SiC・GaN、エッジ、後工程、先端パッケージなど、まず対象工程を分けたうえで、検出したい欠陥、レビュー・分類、データ連携、サンプル評価条件を整理して比較しましょう。
- 免責事項
掲載内容は2026年6月時点で確認した公式サイト・製品ページ・公開情報をもとに作成しています。対応工程、対応ウェーハ、検出対象、装置仕様、サンプル評価、費用、保守範囲は変更される場合があります。詳細は各社公式サイトまたは問い合わせで確認してください。











