半導体向け熱処理装置メーカー15社を比較!アニール・酸化・拡散炉の選び方

公開日:2026年07月12日

半導体向け熱処理装置は、酸化、拡散、アニール、LPCVD、キュアなど、処理目的によって必要な方式が変わります。

メーカーを比較するときは、バッチ式縦型炉・横型炉、RTP・RTA、フラッシュ・レーザアニールを分け、対象基板、熱予算、処理量、雰囲気、研究開発・量産の区分まで確認することが重要です。

目次

半導体向け熱処理装置メーカー15社の比較表

装置方式・対応サイズ、主なプロセス、向いている導入目的をもとに比較しています。実際の対応可否は、基板、温度、雰囲気、処理枚数、前後工程によって変わるため、各社へ確認してください。

会社名 サービスの特徴 装置方式・対応サイズ 主なプロセス 向いている導入目的

KOKUSAI ELECTRIC

300mm・200mm対応のバッチ式熱処理装置と枚葉トリートメント装置を展開

バッチ式縦型炉、枚葉式熱処理、300mm・200mmウェーハ
酸化、拡散、低温・高温アニール、LP-CVD、ALD、キュア
先端ロジック・メモリ、200mm量産、膜質改善を含む量産ライン

東京エレクトロン

300mmウェーハ対応のバッチ式熱処理・成膜装置TELINDYシリーズを展開

バッチ式熱処理・成膜装置、300mmウェーハ、枚葉・セミバッチ成膜
酸化、アニール、CVD、熱ALD、プラズマ支援低温成膜
先端デバイス量産、高生産性と低温プロセスを両立したい工程

ジェイテクトサーモシステム

縦型炉・横型炉・ランプアニールからSiC高温処理まで幅広く展開

縦型炉、横型炉、ランプアニール、オーブン、300mmから小口径
酸化、拡散、LPCVD、アニール、SiCコンタクトアニール、パッケージ熱処理
研究開発から量産、Si・SiC・MEMS・VCSEL・先端パッケージ

SCREENセミコンダクターソリューションズ

300mmウェーハ向けフラッシュランプアニール装置を展開

フラッシュランプアニール、300mmウェーハ、枚葉処理
ミリ秒熱処理、低サーマルバジェット、低酸素雰囲気、温度測定
先端デバイスの不純物活性化と熱拡散を抑えた枚葉アニール

JSWアクティナシステム

Si・SiC向けの活性化・シリサイド化・局所レーザアニール装置を展開

レーザアニール、Si・SiC、6・8・12インチ、研究開発・量産
活性化、シリサイド化、結晶化、局所加熱、マイクロビーム処理
パワー半導体、イメージセンサ、局所領域だけを熱処理したい工程

アドバンス理工

真空・ガス雰囲気に対応する赤外線ランプアニール装置を提供

赤外線ランプアニール、RTA、真空・ガス雰囲気、研究開発
急速加熱・冷却、温度レシピ制御、クリーン加熱、装置連結
薄膜・半導体材料の研究開発、少量処理、熱処理条件の探索

ディー・エス・アイ・テクノロジー

小口径・特殊デバイス向けから量産機まで熱処理炉を設計・製作

酸化炉、拡散炉、CVD装置、小口径炉、カスタム量産機
設計・製造、再生、改造、保守、自動移載、特殊仕様対応
大学・試作、小口径ウェーハ、特殊デバイス、既存炉の再生・改造

住友重機械工業

固体レーザと長波長レーザを組み合わせたレーザアニーリング装置を展開

レーザアニーリング、固体レーザ、グリーン・ハイブリッドレーザ
ダブルパルス、局所加熱、結晶化・改質、レーザ熱処理
次世代半導体プロセス、薄膜改質、熱影響を限定した開発工程

レーザーシステム

半導体レーザを用いた結晶化アニール装置を提供

結晶化アニール、半導体レーザ、薄膜・半導体材料
レーザ局所加熱、アモルファスシリコン結晶化、材料改質
研究開発、薄膜結晶化、装置コストと保守性を重視する用途

Applied Materials

ランプ・レーザ・ヒーター方式を含むRTP・アニール技術を展開

RTP、RTA、ミリ秒アニール、ランプ・レーザ・ヒーター方式
soak・spike・millisecond anneal、熱ラジカル酸化、熱予算制御
先端ロジック・メモリ、微細化工程、300mm量産ライン

ASM International

300mmと200mm以下に対応するバッチ式縦型炉を展開

バッチ式縦型炉、300mm・200mm以下、量産用デュアルリアクター
LPCVD、拡散、酸化、アニール、キュア、バッチALD
ロジック・メモリ、パワー・アナログ・RF・MEMSの量産工程

Mattson Technology

soak・spike・ミリ秒フラッシュまでRTP装置を展開

RTP、RTA、フラッシュアニール、枚葉式熱処理
soak・spike・millisecond flash、温度均一性、短時間処理
ロジック・メモリ・ファウンドリの先端量産プロセス

centrotherm

横型・縦型炉、SiC高温炉、RTPを用途別に展開

横型炉、縦型炉、RTP、SiC高温アニール・酸化、200mm・300mm
拡散、酸化、アニール、LPCVD、高温WBG処理、真空はんだ
Si・SiCパワー半導体、量産・パイロット、200mm・300mmライン

SPT

150mmから300mmまで対応するバッチ式縦型熱処理装置を展開

縦型バッチ炉、150・200・300mm、MEMS・パワー・特殊半導体
拡散、酸化、アニール、LPCVD、ALD、100℃から1200℃より高い温度域
レガシーライン更新、MEMS・パワー半導体、研究開発から量産

Annealsys

研究開発から生産まで対応するRTP・RTA装置を展開

RTP・RTA、数mmから200mm、真空・ガス雰囲気、研究開発・生産
赤外線ランプ加熱、上限1450℃、高温RTP、RTCVD、真空処理
化合物半導体、MEMS、センサー、研究開発、パイロット・少量生産

半導体向け熱処理装置メーカー15社の詳細

KOKUSAI ELECTRIC

300mm・200mm対応のバッチ式熱処理装置と枚葉トリートメント装置を展開

KOKUSAI ELECTRICは、半導体前工程のバッチ成膜装置とトリートメント装置を展開するメーカーです。AdvancedAce、QUIXACE、VERTRONなどのプラットフォームがあり、酸化、拡散、低温・高温アニール、LP-CVDなどの熱プロセスに対応します。

300mmウェーハ向けのラージバッチ・ミニバッチ装置に加え、200mmおよび150mm以下を対象とする装置も掲載されています。TANDUOは枚葉式の低温アニール、キュア、脱ガス向け装置として位置づけられています。

先端ロジックやメモリの量産工程から、200mmのパワー・アナログ・ディスクリートまで、処理枚数とプロセスを分けて候補を検討したい企業に向いています。既存レシピとの互換性、処理温度、バッチ枚数、保守支援を確認して選定します。

KOKUSAI ELECTRICの会社概要

会社名株式会社KOKUSAI ELECTRIC
主な装置領域バッチ式縦型炉、枚葉式熱処理、300mm・200mmウェーハ
公式URLhttps://www.kokusai-electric.com/en/products/

東京エレクトロン

300mmウェーハ対応のバッチ式熱処理・成膜装置TELINDYシリーズを展開

東京エレクトロンは、半導体製造プロセス向けの熱処理・成膜装置を展開しています。TELINDY PLUSは300mmウェーハ対応のバッチ式熱処理装置で、酸化、アニール、CVD、熱ALDなどのプロセスに対応する製品です。

製品群には、高生産性を重視したEVAROS、高速昇降温と短いターンアラウンドタイムを狙うTELFORMULA、プラズマ源を組み合わせたTELINDY PLUS IRadなどがあります。装置ごとに処理方式と狙う生産性が異なります。

300mm量産ラインで、ウェーハ処理枚数、クリーンルーム面積、生産性、膜質、低温化を総合的に検討したい企業の候補です。酸化・アニールだけでなく成膜工程まで含むため、必要なプロセスと装置範囲を明確にして比較します。

東京エレクトロンの会社概要

会社名東京エレクトロン株式会社
主な装置領域バッチ式熱処理・成膜装置、300mmウェーハ、枚葉・セミバッチ成膜
公式URLhttps://www.tel.co.jp/product/telindy.html

ジェイテクトサーモシステム

縦型炉・横型炉・ランプアニールからSiC高温処理まで幅広く展開

ジェイテクトサーモシステムは、縦型炉、横型炉、ランプアニール装置、オーブンなど、半導体用熱処理装置を幅広く展開しています。酸化、拡散、LPCVD、アニールなど、用途に応じてバッチ式と枚葉式を選べます。

300mm・8インチウェーハ対応の量産装置に加え、6インチ以下の小口径向け装置も扱っています。SiC・Siパワー半導体、メモリ・ロジック、MEMS、VCSEL、FO-WLPやPLPを含むパッケージ用途まで製品領域が分かれています。

研究開発から量産移行まで同じメーカーへ相談したい場合や、シリコンとSiCで異なる温度条件を整理したい場合に向いています。対象基板、処理温度、炉構成、処理枚数、ガス系統、搬送自動化を工程ごとに確認します。

ジェイテクトサーモシステムの会社概要

会社名株式会社ジェイテクトサーモシステム
主な装置領域縦型炉、横型炉、ランプアニール、オーブン、300mmから小口径
公式URLhttps://thermos.jtekt.co.jp/products/equipment/cat2/

SCREENセミコンダクターソリューションズ

300mmウェーハ向けフラッシュランプアニール装置を展開

SCREENセミコンダクターソリューションズは、フラッシュランプアニール装置LA-3100を展開しています。キセノンフラッシュランプによる数ミリ秒の光照射でウェーハ表面を加熱し、短時間で温度を制御する枚葉式の熱処理装置です。

LA-3100は300mmウェーハに対応し、低サーマルバジェットで不純物を活性化しながら濃度プロファイルを制御する用途を想定しています。低酸素雰囲気での処理や、加熱照射時のウェーハ温度を測定する機能も説明されています。

従来の炉による長時間処理では熱拡散が課題になる先端デバイスや、ミリ秒単位の熱履歴を管理したい工程に向いています。量産時は到達温度、面内均一性、処理時間、前後工程との搬送条件を確認します。

SCREENセミコンダクターソリューションズの会社概要

会社名株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ
主な装置領域フラッシュランプアニール、300mmウェーハ、枚葉処理
公式URLhttps://www.screen.co.jp/spe/products/la-3100

JSWアクティナシステム

Si・SiC向けの活性化・シリサイド化・局所レーザアニール装置を展開

JSWアクティナシステムは、半導体・ディスプレイ向けのレーザアニール装置を展開しています。製品群には、活性化用、SiCウェーハ上の金属膜を対象とするシリサイド化用、微小領域を処理するマイクロレーザアニール装置があります。

活性化用YIELDSCAN SLAは表面の局所領域を加熱し、12インチまでのウェーハに対応します。マイクロレーザアニール装置は、基板全体を高温にせず特定位置を結晶化・活性化する用途で、6インチ・8インチ仕様が示されています。

SiCパワー半導体の裏面電極、イメージセンサ、熱影響を限定したい薄膜・微細領域の処理に向いています。レーザ波長、パルス幅、照射位置精度、ビーム均一性、スループットを実サンプルで評価することが重要です。

JSWアクティナシステムの会社概要

会社名JSWアクティナシステム株式会社
主な装置領域レーザアニール、Si・SiC、6・8・12インチ、研究開発・量産
公式URLhttps://www.jsw-aktina.co.jp/product/

アドバンス理工

真空・ガス雰囲気に対応する赤外線ランプアニール装置を提供

アドバンス理工は、熱分析・熱物性測定機器と赤外線加熱関連機器を扱うメーカーです。RTAシリーズは赤外線ランプを用いたアニール装置で、短時間の加熱・冷却と温度レシピ制御を必要とする材料・薄膜の熱処理に使われます。

真空およびガス雰囲気での処理に対応し、近赤外線による高い熱応答性とクリーン加熱を特徴としています。製品ページでは、熱処理レシピと雰囲気条件に応じた構成や、半導体製造装置との連結にも対応すると説明されています。

量産用の全自動バッチ炉よりも、研究開発、プロセス条件の探索、少量試料のRTAを検討する場合に向いています。試料寸法、吸収率、到達温度、昇温速度、真空度、使用ガス、温度測定方法を確認して選定します。

アドバンス理工の会社概要

会社名アドバンス理工株式会社
主な装置領域赤外線ランプアニール、RTA、真空・ガス雰囲気、研究開発
公式URLhttps://advance-riko.com/products/rta/

ディー・エス・アイ・テクノロジー

小口径・特殊デバイス向けから量産機まで熱処理炉を設計・製作

ディー・エス・アイ・テクノロジーは、半導体、太陽電池、LED製造工程向けの熱処理炉を扱う会社です。酸化炉、拡散炉、CVD装置などを設計・製作し、既存装置の再生、改造、保守にも対応しています。

大学や試作品開発に使う小口径の熱処理炉から、独自の移載機を備えた量産機、少量生産の特殊デバイス向けカスタム機までを支援範囲としています。標準仕様では合いにくい基板・炉構成を相談できる点が特徴です。

既存ラインの更新や改造、小口径ウェーハ、特殊ガス・特殊プロセスなど、個別設計が必要な案件に向いています。新規装置と再生装置のどちらが適切か、部品供給、制御更新、安全対策、保守範囲まで確認します。

ディー・エス・アイ・テクノロジーの会社概要

会社名株式会社ディー・エス・アイ・テクノロジー
主な装置領域酸化炉、拡散炉、CVD装置、小口径炉、カスタム量産機
公式URLhttps://www.dsitec.co.jp/design_and_manufacture

住友重機械工業

固体レーザと長波長レーザを組み合わせたレーザアニーリング装置を展開

住友重機械工業は、メカトロニクス事業でレーザシステムを展開しています。SWA Green/Hybrid Laserシリーズは、固体レーザと長波長レーザを組み合わせ、レーザ照射によるアニーリングを行う装置です。

製品では、2種類のレーザを用いたダブルパルスプロセスに対応し、高繰り返し、高パルスエネルギーの安定性、コンパクトな構成を特徴としています。半導体分野の次世代プロセス開発を想定したレーザアニーリング装置です。

炉全体を加熱する方式ではなく、薄膜や表面領域へ短時間の熱処理を行いたい研究開発・プロセス開発に向いています。対象材料の吸収特性、レーザ波長、照射面積、パルス条件、面内均一性を確認する必要があります。

住友重機械工業の会社概要

会社名住友重機械工業株式会社
主な装置領域レーザアニーリング、固体レーザ、グリーン・ハイブリッドレーザ
公式URLhttps://www.shi-mechatronics.jp/solutions/products/laser/swa_greenhybrid/

レーザーシステム

半導体レーザを用いた結晶化アニール装置を提供

レーザーシステムは、レーザ加工装置やレーザ応用装置を開発する会社です。結晶化アニール装置は半導体レーザを光源に用い、アモルファスシリコンの結晶化など、薄膜・半導体材料の局所熱処理を行います。

製品ページでは、アモルファスシリコンの単結晶帯形成が可能であることや、エキシマレーザから半導体レーザへ置き換えることで、装置価格やメンテナンス負担を抑える考え方が示されています。

先端量産ライン向けの汎用RTP装置ではなく、結晶化や材料改質の研究開発、対象材料に合わせたレーザプロセスを相談したい場合の候補です。ワーク寸法、走査方法、温度履歴、照射均一性、処理速度を確認します。

レーザーシステムの会社概要

会社名株式会社レーザーシステム
主な装置領域結晶化アニール、半導体レーザ、薄膜・半導体材料
公式URLhttps://www.lasersystems.co.jp/annealing.html

Applied Materials

ランプ・レーザ・ヒーター方式を含むRTP・アニール技術を展開

Applied Materialsは、半導体製造装置・材料エンジニアリングソリューションを展開するグローバル企業です。熱処理領域では、RTPとアニール技術を扱い、材料の電気的・物理的特性を変えるプロセスへ装置を提供しています。

公式ページでは、soak、spike、ミリ秒アニール、熱ラジカル酸化などを挙げ、ランプ、レーザ、ヒーターを用いた装置ポートフォリオを説明しています。工程ごとの熱予算や界面品質に応じて方式を選ぶ考え方です。

先端ロジック・メモリなど、高い温度均一性と短い熱履歴が求められる量産工程の候補です。製品名だけでなく、対象ノード、ウェーハサイズ、既存ラインとの統合、国内サポート、レシピ移管を確認して比較します。

Applied Materialsの会社概要

会社名Applied Materials, Inc.
主な装置領域RTP、RTA、ミリ秒アニール、ランプ・レーザ・ヒーター方式
公式URLhttps://www.appliedmaterials.com/il/en/semiconductor/semiconductor-technologies/rapid-thermal-processing.html

ASM International

300mmと200mm以下に対応するバッチ式縦型炉を展開

ASM Internationalは、半導体ウェーハ処理装置を展開するグローバルメーカーです。縦型炉では、300mm対応のSONORAと、200mm以下のウェーハを対象とするA400 DUOを提供しています。

SONORAはロジック、ファウンドリ、メモリ、アナログ・パワー向けのバッチ式縦型炉で、大気圧・低圧熱処理に対応します。A400 DUOはパワー、アナログ、RF、MEMS向けに、LPCVD、拡散、酸化用途を想定しています。

処理枚数を確保しながら温度・雰囲気を揃えたい量産工程に向いています。300mmか200mm以下かを先に分け、LPCVD・酸化・拡散・アニールの必要範囲、既存レシピ互換性、設置面積、保守体制を確認します。

ASM Internationalの会社概要

会社名ASM International N.V.
主な装置領域バッチ式縦型炉、300mm・200mm以下、量産用デュアルリアクター
公式URLhttps://www.asm.com/our-technology-products/vertical-furnace

Mattson Technology

soak・spike・ミリ秒フラッシュまでRTP装置を展開

Mattson Technologyは、半導体ウェーハ向けのプラズマ処理装置と急速熱処理装置を開発するメーカーです。RTP領域では、soak、spike、ミリ秒フラッシュまで、異なる熱履歴に対応するアニール技術を展開しています。

Helios XPは、複数の半導体デバイスと技術ノードに対応するRTPプラットフォームとして紹介されています。ランプ加熱と温度制御を用い、活性化、酸化、材料特性の調整など、枚葉式の短時間熱処理を行います。

ロジック、メモリ、ファウンドリで、バッチ炉より短い熱履歴と高い処理再現性を重視する場合の候補です。対象プロセス、到達温度、昇降温条件、面内均一性、パーティクル、装置サポートを確認します。

Mattson Technologyの会社概要

会社名Mattson Technology, Inc.
主な装置領域RTP、RTA、フラッシュアニール、枚葉式熱処理
公式URLhttps://mattson.com/technology/rapid-thermal-processing/

centrotherm

横型・縦型炉、SiC高温炉、RTPを用途別に展開

centrothermは、半導体・マイクロエレクトロニクス向けの熱処理装置を展開するドイツのメーカーです。横型炉c.HORICOO、縦型炉c.VERTICOO、RTP装置c.RAPIDなど、方式別の製品を提供しています。

SiCなどワイドバンドギャップ半導体向けには、高温アニール装置c.ACTIVATORと高温酸化装置c.OXIDATORを展開しています。200mmまでのSiC向け装置や、300mmシリコンウェーハ向け横型炉も製品領域に含まれます。

シリコン量産炉とSiC高温処理を分けて検討したい企業や、研究・パイロットから量産まで段階的に装置を選びたい企業に向いています。温度上限、ウェーハ径、ブリッジ対応、処理枚数、国内支援体制を確認します。

centrothermの会社概要

会社名centrotherm international AG
主な装置領域横型炉、縦型炉、RTP、SiC高温アニール・酸化、200mm・300mm
公式URLhttps://www.centrotherm.de/en/industry-solutions/semiconductor

SPT

150mmから300mmまで対応するバッチ式縦型熱処理装置を展開

SPTは、SPPテクノロジーズとSPT Microtechnologies USAが展開する半導体製造装置ブランドです。縦型バッチ式熱処理装置を扱い、拡散、酸化、アニール、LPCVD、ALDなどのプロセスに対応します。

RVP Aceは200mm・300mmウェーハに対応し、100℃から1200℃より高い温度域のアニール・キュアを含む熱処理を扱います。AVP/RVPシリーズは150mm・200mm向けで、既存のレガシー工程やMEMS、パワーデバイスにも利用できます。

200mmラインの更新と300mm対応を比較したい場合や、MEMS・パワー・特殊半導体でバッチ処理を行いたい場合に向いています。ウェーハ径、処理温度、ガス、ローダーロック、既存装置とのレシピ互換性を確認します。

SPTの会社概要

会社名SPPテクノロジーズ株式会社/SPT Microtechnologies USA, Inc.
主な装置領域縦型バッチ炉、150・200・300mm、MEMS・パワー・特殊半導体
公式URLhttps://www.sptcorp.com/ja/products/vertical-batch-furnace/

Annealsys

研究開発から生産まで対応するRTP・RTA装置を展開

Annealsysは、フランスを拠点にRTP・RTA装置とDLI-CVD・ALD装置を製造する会社です。赤外線ランプ加熱による急速熱処理装置を、研究開発用の小型機から自動搬送を備えた生産用途まで展開しています。

RTP装置は数mmの試料から200mm径までを対象とし、大気・ガス雰囲気と真空処理に対応します。標準的な赤外線ランプ炉は上限1450℃、ZENITHシリーズは高温プロセス向けとして上限2000℃が示されています。

化合物半導体、MEMS、センサー、パワーデバイスなどで、研究開発からパイロット・少量生産へ移行したい場合に向いています。試料支持方法、温度測定、真空度、使用ガス、自動搬送、国内窓口を確認します。

Annealsysの会社概要

会社名ANNEALSYS SAS(ECM Group)
主な装置領域RTP・RTA、数mmから200mm、真空・ガス雰囲気、研究開発・生産
公式URLhttps://www.annealsys.com/rapid-thermal-processing-equipment/

半導体熱処理装置メーカーの選び方

処理目的と許容できる熱予算を決める

最初に決めるべきなのは装置名ではなく、処理によって変えたい特性です。活性化率、酸化膜厚、接触抵抗、結晶性、応力、膜密度などの目標を数値化し、前後工程を含めて許容できる温度と時間を整理します。

同じ到達温度でも、長時間の炉処理と短時間のRTAでは不純物拡散や膜への影響が異なります。温度だけでなく、昇温・保持・冷却を含む温度プロファイル全体を比較しましょう。

基板・ウェーハ径・膜構成を揃えて比較する

シリコン、SiC、GaN、SOI、ガラス、化合物半導体では、光吸収、熱伝導、耐熱性、反りやすさが異なります。ウェーハ径、厚さ、裏面状態、キャリアの有無、成膜済み材料、金属汚染区分を候補メーカーへ共有します。

量産装置では、150mm・200mm・300mmの違いに加え、薄ウェーハ、接合基板、反りウェーハ、パネル搬送への対応も確認します。ブリッジ対応できる装置でも、同時処理や搬送治具の条件は製品ごとに異なります。

温度均一性と再現性の評価条件を確認する

カタログの温度均一性は、測定ウェーハ、測温方法、温度帯、ガス、処理枚数によって変わります。面内均一性、ウェーハ間均一性、ロット間再現性、装置間マッチングを分け、実際のレシピに近い条件で確認します。

熱電対、放射温度計、パイロメーターなど測温方式による差もあります。実際に管理したいのが炉内温度なのかウェーハ表面温度なのかを明確にし、校正方法と定期点検も確認しましょう。

雰囲気・ガス・真空・安全設備を確認する

酸素、窒素、アルゴン、水素、アンモニア、シラン、ドーパントガスなど、使用ガスによって必要な排気、除害、リーク監視、防爆・安全インターロックが変わります。装置本体だけでなく、ガスキャビネット、排気、冷却水、電源、除害設備まで見積もり範囲を確認します。

研究設備から量産設備へ移行すると、安全基準や供給設備の要件が変わる場合があります。メーカーと施設側で責任分界を明確にし、法令・社内基準に沿って導入計画を作ります。

処理能力と所有コストを比較する

装置価格だけでなく、1ロット当たりの処理枚数、昇温・冷却時間、搬送時間、レシピ切替、クリーニング、定期保守、消耗部品を含めて処理能力を評価します。バッチ枚数が多くても、切替やメンテナンスが長ければ実稼働率は下がります。

電力、ガス、冷却水、石英管、ボート、ランプ、レーザ光源、真空ポンプ、除害設備、保守契約を含む総所有コストを比較します。既存ラインへ追加する場合は、設置面積とユーティリティ余力も重要です。

装置費用を左右する要素

半導体向け熱処理装置は個別仕様と見積もりが中心であり、装置方式だけで一律の価格相場を示すことは困難です。研究用の手動RTAと、300mm全自動バッチ炉・量産RTPでは、自動化、付帯設備、立ち上げ支援が大きく異なります。

費用項目金額が変わる条件
装置本体炉構成、チャンバー数、到達温度、ウェーハ径、処理枚数、自動搬送
プロセス構成真空、ガス系統、測温、冷却、プラズマ・レーザ・ランプ光源
付帯設備電源、冷却水、排気、除害、ガスキャビネット、安全設備
導入・立ち上げ搬入、据付、装置接続、レシピ開発、サンプル評価、教育
維持管理保守契約、予備部品、石英部品、ランプ・レーザ、ポンプ、校正

メーカーへ相談する前に整理する仕様

  • 処理目的と評価指標:活性化、酸化膜、接触抵抗、結晶性、膜質、応力
  • 基板材料、ウェーハ径・厚さ、反り、裏面状態、キャリアの有無
  • 前工程・後工程、成膜材料、金属汚染区分、許容できる熱予算
  • 目標温度、昇温速度、保持時間、冷却速度、温度均一性
  • 使用ガス、流量、圧力、真空度、排気・除害条件
  • 1日・1カ月の処理枚数、ロット構成、品種切替、量産タクト
  • 手動・半自動・全自動、FOUP・SMIF、MES・ホスト通信
  • 設置場所、クリーンルーム寸法、電源、冷却水、排気、搬入経路
  • サンプル試験の評価方法、受入条件、レシピ移管、検収基準
  • 国内保守、部品供給、リモート対応、予防保全、装置更新計画

半導体向け熱処理装置に関するFAQ

半導体熱処理装置のメーカーシェアだけで選んでもよいですか?

シェアの対象がバッチ炉、RTP、フラッシュ、レーザ、SiC高温炉のどれかで結果が変わるため、総合順位だけでは選べません。自社が必要とする装置カテゴリと対象年度・地域を確認したうえで参考にし、最終的にはプロセス適合性とサポートで判断します。

アニール装置と熱処理装置は同じですか?

アニール装置は熱処理装置の一種です。熱処理装置には、アニールのほか、酸化、拡散、LPCVD、キュア、脱ガスなどを行う装置が含まれます。同じ炉で複数プロセスへ対応できる場合もありますが、汚染区分やガス系統によって共用できないことがあります。

半導体の拡散炉はどのような構造ですか?

一般的な拡散炉は、ヒーターで囲まれた反応管、ウェーハを保持するボート、ガス供給・排気、温度制御、搬送部などで構成されます。横型と縦型があり、量産性、設置面積、ウェーハ搬送、温度・ガス均一性の考え方が異なります。

RTPとRTAの違いは何ですか?

RTPはRapid Thermal Processingの略で、急速な加熱・冷却を行う熱処理全般を指します。RTAはRapid Thermal Annealingの略で、RTPのうちアニールを目的とする処理です。装置名では両方の表記が使われるため、対応プロセスを確認してください。

中古の熱処理装置を導入するときの注意点は何ですか?

装置の稼働履歴、処理物質、汚染区分、制御部品の供給状況、石英・ヒーター・ポンプの状態、安全基準、レシピ移管、メーカー保守の可否を確認します。購入価格だけでなく、再生、移設、立ち上げ、改造、部品更新まで含めて比較しましょう。

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半導体向け熱処理装置メーカーのまとめ

半導体向け熱処理装置メーカーを比較するときは、会社規模や装置名よりも、処理目的、熱予算、基板材料、ウェーハ径、処理枚数、雰囲気、量産段階を先に整理することが重要です。

酸化・拡散・LPCVDを含む量産バッチ炉、短時間処理を行うRTP・RTA、ミリ秒のフラッシュ、局所領域のレーザアニールでは、適する工程が異なります。候補メーカーへ同じ仕様を提示し、実サンプル評価と総所有コストを比較して選定しましょう。

免責事項

掲載内容は2026-07-12時点で確認した各社公式サイト・製品ページをもとにしています。装置仕様、対応プロセス、ウェーハサイズ、温度、販売・保守体制は変更される場合があります。詳細は各社へ確認してください。