半導体めっき装置メーカー17社を比較 電解・無電解とウェハ・パネル対応で選ぶ

最終更新日:2026年07月24日

半導体めっき装置は、ダマシン配線、RDL、TSV・TGV、Cuピラー、バンプ、UBMなど、形成する構造と金属の積層によって必要な方式が変わります。

メーカーを比較するときは、電解・無電解だけでなく、枚葉・バッチ・カップなどの装置形態、ウェハ・パネルのサイズ、対応金属、前後処理、処理能力、薬液管理を同じ条件で確認することが重要です。

目次

半導体めっき装置メーカー17社の比較表

めっき方式・装置形態、対象基板・対応サイズ、金属・主な用途を比較しています。対応可否と量産性能は、対象基板と要求仕様を各社へ提示して確認してください。

会社名 サービスの特徴 めっき方式・装置形態 対象基板・対応サイズ 金属・主な用途

荏原製作所

ウェハと角型パネルの先端パッケージ向け電解めっき装置を展開

電解めっき、枚葉式、ウェハ・角型パネル向け量産装置
半導体ウェハ、300mmウェハ、角型パネル
Cu、バンプ、ピラー、RDL、TSV、Fan-out

上村工業

めっき薬品・装置・液管理を一体で提案する総合メーカー

電解・無電解、ウェハ・パネル用装置、薬液・液管理
半導体ウェハ、パネル、半導体パッケージ基板
Cu・Ni・Au、UBM、RDL、PLP

東設

微細配線・バンプ・磁性膜のプロセス提案に対応

電解めっき、研究開発~量産、カスタム装置
ウェハ、角型基板、化合物半導体
Cu・SnAg・In、TSV、Cuピラー、RDL、バンプ、磁性膜

EEJAテクノロジーズ

貴金属めっきとウェハ装置のカスタム設計に対応

電解めっき、手動・半自動・全自動・クラスター型
4~8インチウェハ、リードフレーム、コネクター
Au・Cu・Ni・SnAg、バンプ、ビア、RDL、WLP、MEMS

友藍サイエンス

UBM無電解と全自動・セミオートのウェハ装置を展開

電解・無電解、セミオート・全自動装置
Si・SiC・GaAs・GaNウェハ
Cu・Ni・Au・Sn、UBM、ウェハメタライゼーション

山本鍍金試験器

研究開発・少量生産向けのウェハめっき実験装置を展開

電解・無電解、手動実験装置、両面めっき
2~8インチ対応例、Si・SiC・ガラス・GaAs・InP
各種金属、材料評価、レシピ開発、少量生産

奥野製薬工業

パワー半導体向けUBM無電解めっきの薬品と装置を提案

無電解めっき、バッチ式、薬液・装置一体提案
6・8・12インチウェハ、SiC・GaNを含むパワー半導体
Ni・Au、UBM、ウェハ裏面・電極形成

トーア電子

研究機から量産機までウェットプロセス装置を一貫製造

めっき・ウェット処理、試験機~全自動量産機
半導体ウェハ、基板、ロール・ツー・ロール
めっき・エッチング・洗浄、研究開発、パイロット、量産

PacTech

無電解めっき装置・薬液・受託加工を組み合わせたターンキー提案

無電解めっき、全自動装置、薬液・受託加工一体型
4~12インチウェハ、Si・化合物半導体
Ni・Pd・Au、UBM、パッドメタライゼーション

Lam Research

WLP・TSV向けの電気化学成膜装置を展開

電気化学成膜、枚葉式、量産装置
ウェハレベルパッケージ、TSV対応ウェハ
Cu、バンプ、RDL、TSV充填、3次元実装

ACM Research

前工程から先端パッケージまで複数のECP装置を展開

電気化学めっき、ウェハ・パネル向け量産装置
ウェハ、パネル、SiC・GaN・GaAs
Cu・Ni・SnAg・Au、ダマシン、TSV、RDL、ピラー、バンプ

ClassOne Technology

小径ウェハから300mmまで対応する枚葉式ウェット処理装置

電解めっき、枚葉式、モジュール構成
3インチ~300mmウェハ、化合物半導体、MEMS
Cu・Au・特殊金属、RDL、バンプ、研究開発~量産

Applied Materials

150~300mm対応の枚葉式電気化学成膜装置を展開

電気化学成膜、枚葉式、量産装置
150・200・300mmウェハ、各種基板
Cu、TSV・TGV、裏面金属、金属・合金成膜

ASMPT NEXX

先端パッケージ向けECD・PVDの両方を展開

電気化学成膜・PVD、ウェハ・パネル向け装置
ウェハ、パネル、パワーデバイス、先端パッケージ
UBM、Cuピラー、TSV、RDL、ウェハ・パネルレベル処理

RENA Technologies

75~200mmの研究開発用手動機と量産用自動機を展開

電解めっき、ファウンテン式、手動EPM・自動EPA
75~200mm、Si・SiC・GaAs・GaN・InP・ガラス・サファイア
Ni・Au・Sn・Cu・Ag・SnAg・In、ダマシン、UBM、バンプ、ピラー、TSV・TGV

Technic

100~300mmのウェハでめっき条件を構築できる研究開発用装置

電解めっき、手動・ファウンテン式、交換式ウェハカップ
100・150・200・300mm、Si・GaAs・InP、角型基板は専用治具
Cu・Ni・Auなど、RDL・ピラー、研究開発、少量生産、条件移管

MKS Atotech

ウェハ・パネル用装置と電解・無電解プロセスを一体で提案

電解・無電解、MultiPlate、薬液・装置一体型
ウェハ、650×610mmまでのパネル、Si・ガラス、片面・両面
Cu・Ni・Pd・Au・Sn・SnAg、RDL、ビア、ピラー、UBM、パッドメタライゼーション

半導体めっき装置メーカー17社の詳細

荏原製作所

ウェハと角型パネルの先端パッケージ向け電解めっき装置を展開

荏原製作所は、半導体ウェハや角型パネルに金属膜を形成する電解めっき装置を展開しています。量産時の面内均一性、スループット、装置構成、保守体制を含めて検討したい場合に候補になります。

主な製品・装置

  • UFP600AS型: 角型基板にバンプ、ピラー、RDL、貫通ビア、Fan-out用の金属膜を形成する電解めっき装置。パネルレベルパッケージの開発・量産向けです。
  • ZP300A型: 300mmウェハの先端パッケージ向け電解めっき装置。ウェハ内・ダイ内の均一性、生産性、メンテナンス性を重視する量産工程に向きます。
  • UFP300A型: ウェハ上のバンプ、RDL、TSVなどを対象とするUFPシリーズのウェハ用装置です。

荏原製作所の会社概要

会社名株式会社荏原製作所
主な対応領域電解めっき、半導体ウェハ、角型パネル、先端パッケージ
公式URLhttps://ebara.com/jp-ja/products/UFP/

上村工業

めっき薬品・装置・液管理を一体で提案する総合メーカー

上村工業は、めっき薬品、めっき装置、液管理装置を一貫して扱っています。装置単体ではなく、薬液選定、浴管理、プロセス条件を含めて工程を立ち上げたい企業に向いています。

主な製品・装置

  • スピードプレーター UBM: 半導体ウェハの電極にUBMを形成するめっき装置。パワーデバイスや実装前の電極表面処理に用います。
  • スピードプレーター PLP: 角型パネルを使うパネルレベルパッケージ向けのめっき装置です。
  • ウェハプロセス用液管理装置: めっき浴を分析し、薬液成分の補給と記録を行う装置。量産時の浴状態と品質を安定させる用途です。
  • 半導体向けめっき薬品・UBM形成プロセス: 装置と組み合わせて、Ni、Pd、Auなどの成膜条件を検討できます。

上村工業の会社概要

会社名上村工業株式会社
主な対応領域半導体ウェハ、PLP、UBM、めっき薬品、液管理
公式URLhttps://www.uyemura.co.jp/development/pickup-products/

東設

微細配線・バンプ・磁性膜のプロセス提案に対応

東設は、ウェハ・基板向けのめっき装置とプロセスを提案しています。TSV、Cuピラー、RDL、マイクロバンプ、磁性膜など、金属種や構造に合わせてプロセスを組みたい企業に向いています。

主な製品・装置

  • TEAM-FU: 4~12インチウェハに対応するフェイスアップ式全自動めっき装置。Cu、Ni、Au、SnAg、Rhや磁性合金を使うTSV、RDL、バンプ形成向けです。
  • TEAM-FD: 4~8インチウェハ向けのフェイスダウン式全自動装置。Cu、Ni、Auの電極・微細配線形成に対応します。
  • TESM-VT: ウェハと角型基板を処理できる縦型ディップ式の半自動装置。品種や基板サイズを切り替えて生産する用途に向きます。
  • R&D Tool: 卓上、手動、半自動から選べる研究開発・試作装置。ダマシン、TSV、RDL、マイクロバンプの条件出しや少量生産に使えます。

東設の会社概要

会社名株式会社東設
主な対応領域TSV、RDL、Cuピラー、バンプ、磁性膜、MEMS
公式URLhttps://www.tosetz.com/plating

EEJAテクノロジーズ

貴金属めっきとウェハ装置のカスタム設計に対応

EEJAテクノロジーズは、旧三友セミコンエンジニアリングが2026年4月に社名変更しためっき装置メーカーです。貴金属めっきプロセスとの組み合わせや、要求仕様に応じた個別設計を検討する場合に候補になります。

主な製品・装置

  • POSFER E: 4~8インチウェハ向けのコンパクトな全自動量産装置。バンプ、ビア、RDL、W-CSP、MEMS用途に対応します。
  • POSFER M: 同一ユニット内で複数種類のめっきを連続処理する多層膜形成向けの全自動装置です。
  • POSFER C・C-ST: カップ式のウェハめっき装置シリーズ。処理量や工程構成に合わせて選定します。
  • クラスター型めっき装置: Au、Cu、Ni、SnAgなどを扱うフルオート装置。バンプ、ビア、RDL、WLP、MEMSの量産工程向けです。

EEJAテクノロジーズの会社概要

会社名EEJAテクノロジーズ株式会社
主な対応領域半導体ウェハ、貴金属めっき、カスタム装置
公式URLhttps://tech.eeja.com/

友藍サイエンス

UBM無電解と全自動・セミオートのウェハ装置を展開

友藍サイエンスは、半導体・電子部品向けのめっき装置を製造しています。処理枚数、自動化レベル、対象ウェハに合わせて装置を選びたい場合に向いています。

主な製品・装置

  • ELPS-UBM: 6・8・12インチのSiC、Al、GaAs、GaN、サファイアなどを対象とするUBM無電解めっきシステム。Ni、Pd、Auなどの処理に対応します。
  • SKY LANE 04~08: 走行式ロボットを備えた全自動ウェハめっきシステム。3~8インチウェハのCu、Ni、Au、Sn処理に対応します。
  • UISAWS-01~014: 1~14チャンバーで構成できるセミオートウェハめっきシステム。試作、小中量生産、品種の異なるウェハ処理に向きます。
  • 実験機・めっきTool: 新しい薬液、材料、電極構造の条件出しに使う研究開発向け装置です。

友藍サイエンスの会社概要

会社名友藍サイエンス株式会社
主な対応領域UBM無電解、全自動・セミオートウェハめっき
公式URLhttps://ui-science.com/products.html

山本鍍金試験器

研究開発・少量生産向けのウェハめっき実験装置を展開

山本鍍金試験器は、ウェハ用めっき実験装置や関連治具を展開しています。量産機を導入する前の材料評価、撹拌条件の検討、膜厚分布の確認、少量生産から始めたい企業に適しています。

主な製品・装置

  • A-52: シリコン、SiC、ガラス、GaAs、InPなどを対象とする標準的なウェハめっき実験装置。パドル撹拌とオーバーフロー構造で条件を評価します。
  • A-52-STS-U: 撹拌速度を高めても液がこぼれにくい強撹拌タイプ。高電流密度や物質移動の影響を検証する用途です。
  • A-52-STD: ウェハの両面を同時に処理できるめっき装置。TSV、TGVなど両面からの処理を検討する際に使えます。
  • A-52-WF-ST・A-52-ST-EL: 無電解めっき用の装置・回転機構。ウェハを回転・揺動させながらNiなどの無電解成膜条件を評価します。

山本鍍金試験器の会社概要

会社名株式会社山本鍍金試験器
主な対応領域ウェハめっき実験装置、研究開発、少量生産、特殊治具
公式URLhttps://www.yamamoto-ms.co.jp/products/wafer/381/

奥野製薬工業

パワー半導体向けUBM無電解めっきの薬品と装置を提案

奥野製薬工業は、表面処理薬品の知見を基に、パワー半導体向けUBM形成プロセスと専用装置を展開しています。

主な製品・装置

  • TORYZA EL SYSTEM: 6・8・12インチウェハに対応する半導体後工程向け無電解めっき装置。12インチウェハを50枚搬送できる構成で、Ni系UBMの量産処理に使います。
  • TORYZA EL PROCESS: ウェハ上のAl電極にジンケート処理と無電解Niめっきを行い、UBMを形成する表面処理プロセスです。
  • TORYZA NCR HRC: 高温接合・高温使用を想定した無電解Niめっき皮膜。SiCなどのパワーデバイス接合を検討する際の材料候補です。

奥野製薬工業の会社概要

会社名奥野製薬工業株式会社
主な対応領域無電解UBM、パワー半導体、6・8・12インチウェハ
公式URLhttps://www.okuno.co.jp/product/me/toryza_el_system.html

トーア電子

研究機から量産機までウェットプロセス装置を一貫製造

トーア電子は、めっき、エッチング、洗浄などのウェット装置を設計から製造、施工、メンテナンスまで一貫して提供しています。標準型式よりも、基材、工程、搬送方式に合わせた受注設計を中心としています。

主な製品・装置

  • 半導体ウェハ用表面処理装置: ウェハのめっき、洗浄、エッチングなどを目的に工程ごと設計する装置です。
  • めっきテスト機: 300mm角までの基材を使い、縦型搬送機に近い条件でめっき液、アノード、揺動条件を評価する研究開発機です。
  • キャリア搬送めっき装置: 基材を治具に保持し、複数の処理槽を移動させる装置。品種や金属種を切り替える生産ラインに向きます。
  • ロールtoロールめっき装置: フィルムや金属箔を連続搬送し、Cu、Ni、Auなどを成膜する装置です。

トーア電子の会社概要

会社名株式会社トーア電子
主な対応領域ウェットプロセス、半導体ウェハ、基板、RtoR
公式URLhttps://toagrp.co.jp/business/equipment

PacTech

無電解めっき装置・薬液・受託加工を組み合わせたターンキー提案

PacTechは、半導体ウェハ向けの無電解めっき装置、独自薬液、受託加工、技術移転を組み合わせたターンキー型の支援を提供しています。

主な製品・装置

  • PACLINE: 4~12インチウェハのAl・CuボンドパッドにNi、Pd、Auを無電解成膜する全自動装置。WLCSP、フリップチップ、ワイヤボンディング向けの接合層を形成します。
  • モジュラー式ウェットベンチ: ウェハやパネルのめっき、エッチング、剥離、洗浄モジュールを組み合わせる装置。開発・少量生産から工程拡張まで対応します。
  • 無電解めっき薬液・受託加工: 装置導入前に外部加工でプロセスを検証し、量産条件を自社工場へ移管する選択肢です。

PacTechの会社概要

会社名PacTech - Packaging Technologies GmbH
主な対応領域無電解めっき、Ni・Pd・Au、4~12インチウェハ
公式URLPacTech公式サイト

Lam Research

WLP・TSV向けの電気化学成膜装置を展開

Lam Researchは、前工程のCu配線と先端パッケージ向けに、用途を分けた電気化学成膜装置を展開しています。

主な製品・装置

  • SABRE 3D: WLP、TSV、Cuピラー、RDL、UBM、C4バンプ、Cu・SnAgやNi・Auのマイクロバンプ向け装置です。
  • SABRE 3D xT: 高密度Fan-outなど、厚膜・微細化が進む先端パッケージ向けの製品です。
  • SABRE Extreme・Max・Excel・F Series: ロジックやメモリのダマシンCu配線を形成する前工程向け製品群。高アスペクト比構造の埋め込みと欠陥低減を目的とします。

Lam Researchの会社概要

会社名Lam Research Corporation
主な対応領域電気化学成膜、WLP、RDL、バンプ、TSV
公式URLhttps://www.lamresearch.com/product/sabre-3d/

ACM Research

前工程から先端パッケージまで複数のECP装置を展開

ACM Researchは、前工程から先端パッケージまで用途別にUltra ECP製品群を展開し、Cu、Ni、SnAg、Auなどの成膜に対応しています。

主な製品・装置

  • Ultra ECP map: デュアルダマシンCu配線向けの電気化学めっき装置です。
  • Ultra ECP 3d: 300mmウェハのTSVや2.5Dインターポーザ向けCu充填装置。高アスペクト比ビアへの成膜を対象とします。
  • Ultra ECP ap: Cuピラー、はんだバンプ、RDL、コンフォーマルTSVなど先端パッケージ向けの装置です。
  • Ultra ECP GIII: SiC、GaN、GaAsなど化合物半導体のCu、Ni、SnAg、Auめっき向け装置です。
  • Ultra ECP ap-p: 角型パネルのRDL、ピラー、バンプ形成に対応するパネルレベルパッケージ向け装置です。

ACM Researchの会社概要

会社名ACM Research, Inc.
主な対応領域ダマシン、TSV、RDL、バンプ、化合物半導体、PLP
公式URLhttps://www.acmr.com/electrochemical-plating/

ClassOne Technology

小径ウェハから300mmまで対応する枚葉式ウェット処理装置

ClassOne Technologyは、化合物半導体、MEMS、フォトニクス、先端パッケージ向けの枚葉式ウェットプロセス装置Solsticeを展開しています。

主な製品・装置

  • Solstice Max Series: 200mm・300mmウェハに対応し、2~16チャンバーで構成できる量産・増産向けプラットフォームです。
  • Solstice S-Series: 3インチから200mmウェハを対象に、2・4・8チャンバーで構成する省スペース装置。研究開発から中量生産に向きます。
  • GoldPro: Auめっき向けのプロセスチャンバー。フォトニクス、RF、MEMSなどの金電極・微細構造形成に用います。
  • CopperMax・ウェット処理チャンバー: Cuめっき、エッチング、洗浄、レジスト剥離をSolstice上で組み合わせるためのモジュールです。

ClassOne Technologyの会社概要

会社名ClassOne Technology Inc.
主な対応領域枚葉式電解めっき、3インチ~300mm、化合物半導体、MEMS
公式URLhttps://classone.com/products/

Applied Materials

150~300mm対応の枚葉式電気化学成膜装置を展開

Applied Materialsは、150mmから300mmのウェハに対応する枚葉式電気化学成膜装置を展開しています。量産ラインでめっき、エッチング、洗浄、表面処理を組み合わせたい場合に候補になります。

主な製品・装置

  • Raider ECD: 150~300mmウェハ対応の自動・マルチチャンバー式電気化学成膜装置。Cu配線の成膜と面内均一性を重視する量産工程向けです。
  • Raider Edge ECD: 厚膜Cu、磁性合金、Au-Sn、Auビアライナー、Cu TSV・TGV、薄化ウェハの裏面金属などに対応する柔軟なウェット処理装置です。
  • Raider S ECD: TSVを含む先端パッケージ用途向けに構成されたRaiderプラットフォームです。

Applied Materialsの会社概要

会社名Applied Materials, Inc.
主な対応領域電気化学成膜、150~300mm、TSV・TGV、裏面金属
公式URLApplied Materials公式サイト

ASMPT NEXX

先端パッケージ向けECD・PVDの両方を展開

ASMPT NEXXは、先端パッケージ向けの電気化学成膜装置と物理気相成膜装置を展開しています。めっき工程だけでなく、前後の成膜工程まで含めて設備構成を検討する場合に候補になります。

主な製品・装置

  • ウェハレベルECD装置: UBM、Cuピラー、TSV、RDLなどの電解めっきを行うウェハ向け装置です。
  • パネルレベルECD装置: 角型パネル上にRDLや接続電極を形成する先端パッケージ向け装置です。
  • PVD装置: めっき前のシード層やバリア層、UBMなどの金属膜を物理気相成膜で形成します。
  • パワーデバイス向け成膜ソリューション: ウェハ・パネル上の金属配線形成を、めっきとPVDの両面から構成できます。

ASMPT NEXXの会社概要

会社名ASMPT Limited
主な対応領域ECD、PVD、UBM、Cuピラー、TSV、RDL、パネル処理
公式URLhttps://www.asmnexx.com/applications/power-devices/

RENA Technologies

75~200mmの研究開発用手動機と量産用自動機を展開

RENA Technologiesは、半導体製造と先端パッケージ向けの電解めっきプラットフォームを展開しています。手動のEPMは研究開発・少量生産、自動のEPAは複数工程を含む量産用途に対応します。

主な製品・装置

  • EPM 2: ファウンテン式の手動めっき装置。電場、液流、めっき速度を調整し、研究開発条件を構築できます。
  • EPA: 自動ウェハ搬送と複数のめっき工程を組み合わせる量産向けプラットフォームです。
  • 前後処理: レジスト除去、シード層エッチング、洗浄、乾燥を組み込み、連続工程を構成できます。

RENA Technologiesの会社概要

会社名RENA Technologies GmbH
主な対応領域半導体ウェットプロセス、電解めっき、洗浄・乾燥
公式URLhttps://www.rena.com/en/products/semiconductor/electro-plating

Technic

100~300mmのウェハでめっき条件を構築できる研究開発用装置

Technicは、めっき装置、専用薬液、分析、プロセス開発を提供しています。研究開発・少量生産で条件を構築し、量産用ファウンテン装置への移管を見据える場合に候補になります。

主な製品・装置

  • Semcon Fountain: 100・150・200・300mmの交換式ウェハカップを使う水平ファウンテン式装置です。
  • Semcon 1000: 200mmまでのウェハに対応する研究開発・少量生産向けの手動めっき装置です。
  • プロセス支援: Cu・Ni・Auなどの薬液とサンプル評価を組み合わせ、単一金属から複数金属の積層へ拡張できます。

Technicの会社概要

会社名Technic Inc.
主な対応領域半導体めっき装置、めっき薬液、分析・プロセス開発
公式URLhttps://www.technic.com/sites/default/files/resources/Semcon%20Fountain.pdf

MKS Atotech

ウェハ・パネル用装置と電解・無電解プロセスを一体で提案

MKS Atotechは、半導体・先端パッケージ向けに、電気化学成膜装置、電解・無電解薬液、プロセス支援を提供しています。ウェハレベルとパネルレベルを同じ候補群で検討したい場合に向いています。

主な製品・プロセス

  • MultiPlate: ウェハとパネルに対応するECD装置。RDL、ピラー、貫通ビア、片面・両面めっきを構成できます。
  • Spherolyte: RDL・マイクロビア用Cu、Cuピラー、Ni、Sn、SnAgなどの電解めっきプロセスです。
  • Xenolyte: Ni・Pd・Auによる無電解パッドメタライゼーションとUBM向けプロセスです。

MKS Atotechの会社概要

会社名アトテックジャパン株式会社
主な対応領域半導体・先端パッケージ向け装置、電解・無電解薬液
公式URLhttps://www.atotech.com/products/electronics/electronics-equipment/multiplate/

半導体めっき装置の選び方を用途・基板・金属から整理

装置メーカーを先に選ぶのではなく、形成する構造、基板形状、金属、必要な生産量を整理します。同じCuめっきでも、ダマシン配線、RDL、Cuピラー、TSVでは、電流波形、液流、シード層、必要な埋め込み性が異なります。

用途主な方式・金属選定時に確認すること
ダマシン配線Cu電解めっきシード層、薄膜対応、ボイドのない埋め込み、面内均一性
RDL・CuピラーCu、Ni、SnAgレジスト適合、電流分布、ピラー高さ、エッジ除外
TSV・TGVCu電解めっきアスペクト比、プリウェット・脱気、ボイド・シーム、処理時間
はんだバンプSn、SnAg合金組成、バンプ高さ、共面性、リフロー条件
UBM・パッド処理Ni、Pd、AuAl・Cuパッド対応、活性化、密着性、接合方式
パネルレベルパッケージCu、Ni、SnAgパネル寸法、反り、搬送、大面積の膜厚均一性
パワー半導体Ni、Au、CuなどSiC・GaN、裏面・両面処理、厚膜、放熱・接合要件

電解・無電解と装置形態の違い

電解めっき装置

電解めっきは、電流を流してCu、Ni、Au、Sn、SnAgなどを析出させます。成膜速度と膜厚制御に適し、ダマシン、RDL、TSV、Cuピラー、バンプなどで使われます。電流密度、パルス波形、アノード、カソード、撹拌、液流、シールドを一体で評価します。

無電解めっき装置

無電解めっきは外部電源を使わず、化学反応で金属膜を形成します。複雑形状への成膜や、Ni・Pd・AuによるUBM、パッドメタライゼーションで候補になります。前処理、活性化、浴温、pH、薬液寿命、析出速度を確認します。

枚葉・カップ・バッチ・パネル式

枚葉式とカップ式はウェハごとに液流や電流分布を制御しやすく、研究開発から高精度量産まで使われます。バッチ式は複数枚を同時処理しやすく、無電解UBMなどで候補になります。パネル式では、大型・角型基板の反り、保持方法、両面処理、大面積均一性が装置選定を左右します。

金属種と積層構成から装置を選ぶ

単一金属だけでなく、Cu/Ni、Cu/Ni/Au、Ni/Pd/Au、Cu/SnAgなど、必要な積層を先に決めます。複数金属を同一装置で処理する場合は、槽・チャンバーの分離、クロスコンタミネーション、リンス、分析、薬液補給、レシピ切り替えを確認します。

金属・積層例主な用途確認する条件
Cuダマシン、RDL、TSV・TGV、Cuピラー埋め込み、純度、応力、結晶、アニール
Cu/Niピラー、バリア層、接続端子界面密着、Ni厚、連続処理、浴混入
Cu/SnAgはんだキャップ、バンプSnAg組成、共面性、リフロー後接合
Ni/Pd/AuUBM、パッドメタライゼーション活性化、膜厚、接合信頼性、耐食性
Au・InなどMEMS、光・高周波デバイス、特殊接合薬液コスト、回収、膜応力、対応治具

ウェハ径・材料・パネルサイズで確認する仕様

100mm、150mm、200mm、300mmでは、治具、カップ、ロードポート、キャリア、自動搬送が異なります。複数径を扱う場合は、カップ・治具交換だけで対応できるか、専用チャンバーが必要か、交換後の再現性を確認します。

SiC、GaN、GaAs、InP、ガラスなどでは、基板の反り、薄さ、割れやすさ、導電層、シード層がSiと異なります。パネルレベルでは、対応外形だけでなく、厚さ、反り、重量、片面・両面、端部保持、大面積での電流分布を確認します。

前処理から薬液管理まで含めて工程を設計する

  1. 洗浄・脱脂で有機物、粒子、酸化膜を除去する
  2. 活性化やシード層形成で析出の起点を整える
  3. プリウェット・真空脱気でビア内部へ薬液を入れる
  4. 電流、液流、温度、撹拌を制御してめっきする
  5. リンス・乾燥で薬液残留とウォーターマークを抑える
  6. レジスト剥離・シードエッチングを行う
  7. 浴分析、添加剤補給、ろ過で量産条件を維持する

装置単体の成膜結果が良好でも、プリウェット不足、リンス間の持ち込み、薬液分析の遅れで量産再現性が崩れる場合があります。前後処理、薬液供給、排液、分析装置まで含むフローで比較します。

サンプル評価で確認する品質項目

  • ウェハ面内、ウェハ間、ロット間の膜厚均一性
  • TSV・TGV内部のボイド、シーム、底部からの充填状態
  • Cuピラー・バンプの高さ、径、形状、共面性
  • SnAgなどの合金組成とロット間再現性
  • エッジ除外幅、裏面への回り込み、端部の異常析出
  • パーティクル、金属汚染、表面粗さ、膜応力、密着性
  • 薄ウェハの割れ、パネルの反り、搬送中の損傷
  • 必要膜厚までの処理時間、薬液消費、添加剤補給量

候補メーカーには同じサンプル、前処理条件、膜厚、評価方法、合格基準を渡します。WPHも、ウェハ径、膜厚、レシピ、前後処理、稼働率が同じ条件でなければ比較できません。

研究開発機から量産機へ条件を移管する

研究開発機で得たレシピを量産機へ移すと、カップ・チャンバー寸法、アノード距離、液量、液流、ウェハの向き、電源、搬送時間が変わります。電流密度や処理時間だけをコピーせず、次の条件を移管表として整理します。

  • 直流・パルス・リバースを含む電流波形
  • アノード・カソード、シールド、ウェハ保持形状
  • 撹拌、回転数、流量、圧力、温度
  • 薬液組成、添加剤、分析頻度、ろ過
  • プリウェット、脱気、リンス、乾燥
  • ウェハ径・パネル寸法とチャンバー数

処理能力とTCOを比較する

比較項目確認する内容
処理能力同一レシピでのWPH、チャンバー数、処理時間、搬送待ち、切り替え時間
薬液・材料浴量、1枚当たり使用量、添加剤、アノード、ろ過、貴金属回収
稼働率予防保全、槽・配管洗浄、部品交換、復旧時間、国内サポート
品質維持浴分析、自動補給、統計管理、レシピ権限、トレーサビリティ
ユーティリティ電源、純水、薬液、排気、排水、防爆、安全設備、設置面積
ライン接続FOUP、ロードポート、SECS/GEM、上位MES、ロット・ウェハID

見積もり依頼時に渡す仕様

  • 対象構造と工程位置:ダマシン、RDL、TSV、TGV、ピラー、バンプ、UBM
  • 基板:材料、外形、径、厚さ、反り、表裏、シード層
  • 金属と積層:膜種、膜厚、組成、許容ばらつき
  • 生産条件:月産枚数、ロットサイズ、稼働時間、必要WPH
  • 品質基準:均一性、ボイド、形状、パーティクル、汚染、膜応力
  • 前後工程:洗浄、プリウェット、剥離、エッチング、乾燥、検査
  • 設備条件:搬送、通信、薬液供給、排気・排水、設置面積

半導体めっき装置に関するFAQ

電解めっきと無電解めっきはどう使い分けますか?

高速成膜や精密な膜厚制御が必要なCu配線、TSV、RDL、ピラーでは電解めっきが中心です。外部電源を使わず複雑形状へ成膜するUBMやパッド処理では、Ni・Pd・Auの無電解プロセスが候補になります。

200mmと300mmを同じ装置で処理できますか?

交換式カップや治具で複数径に対応する装置もありますが、量産装置ではロードポート、搬送、チャンバーを径ごとに設計する場合があります。交換時間、条件再現性、自動搬送まで確認してください。

研究開発機の条件は量産機へそのまま移せますか?

チャンバー寸法、液流、アノード距離、ウェハ保持、薬液量が変わるため、そのまま移せるとは限りません。量産機に近いウェハ姿勢と液流を持つ研究機を選び、移管評価を計画します。

装置と薬液は同じメーカーへ依頼すべきですか?

一体提案は条件出しや不具合切り分けを進めやすい利点があります。一方、既存の認定薬液を使う場合は装置メーカーとの責任分界、浴分析、添加剤補給、性能保証の条件を明確にします。

パネル対応では外形サイズだけ見ればよいですか?

対応外形に加えて、厚さ、反り、重量、端部保持、片面・両面、大面積均一性、搬送方式を確認します。同じ外形でも材料と反り量によって処理可否が変わります。

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半導体めっき装置メーカーのまとめ

半導体めっき装置は、電解・無電解という分類だけでなく、対象構造、基板形状、金属積層、前後処理、処理能力、薬液管理をそろえて比較します。候補を絞った後は、同じサンプルと合格基準を渡し、成膜品質と量産条件を数値で確認してください。

半導体製造装置や表面処理技術を扱う企業が、用途に合う見込み顧客との接点を増やすには、装置仕様の訴求だけでなく、対象工程と解決できる課題を明確にする必要があります。

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免責事項

掲載内容は2026年7月24日時点で確認した各社公式サイトと製品資料をもとにしています。装置仕様、対応基板・サイズ、金属、製品名、販売・保守体制は変更される場合があります。導入を検討する際は、対象基板と要求仕様を提示したうえで各社へ最新情報を確認してください。