半導体洗浄装置は、パーティクル、金属汚染、有機物、レジスト残渣、研磨材などを除去し、次工程への汚染持ち込みや歩留まり低下を抑えるための装置です。
メーカーを比較するときは、枚葉式・バッチ式という処理形態だけでなく、ウェット・ドライの方式、200mm・300mmなどの対応径、Si・SiC・GaNなどの材料、処理能力、乾燥方式、薬液・純水の使用量まで同じ条件で確認する必要があります。
| 会社名 | サービスの特徴 | 洗浄方式・処理形態 | 対象ウェーハ・対応径 | 主な工程・除去対象 |
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SCREENセミコンダクターソリューションズ |
枚葉式・バッチ式・スピンスクラバを幅広く展開 |
枚葉式・バッチ式・スピンスクラバ・薬液洗浄
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150・200・300mmウェーハ、表面・裏面・エッジ
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前工程洗浄、レジスト剥離、ウェットエッチング、パーティクル除去
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東京エレクトロン |
枚葉・バッチ・スクラバ・ドライ洗浄を用途別に展開 |
枚葉式・バッチ式・スクラバ・低温エアロゾル式ドライ洗浄
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150・200・300mmウェーハ、先端ロジック・メモリ
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物理洗浄、薬液洗浄、酸化拡散前、ポストエッチ、レジスト剥離
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Lam Research |
枚葉スピン技術を用いたウェット洗浄装置を展開 |
枚葉式ウェット洗浄・ドライプラズマ
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ウェーハ表面・裏面・エッジ、前工程・先端パッケージ
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薬液洗浄、ウェットエッチング、ベベル・エッジ残膜除去
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ACM Research |
メガソニック・バッチ・裏面・CMP後洗浄を製品化 |
枚葉式・バッチ式・メガソニック
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200・300mm、Si・SiC、先端パッケージ
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CMP後、裏面、高アスペクト比構造、パーティクル除去
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芝浦メカトロニクス |
CMP後洗浄とファイナル洗浄に特化した枚葉式装置を展開 |
枚葉式・ブラシ洗浄・スピン処理
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300mmウェーハ、表面・裏面・エッジ、パネル
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CMP後、工程間、ファイナル洗浄、スラリー・パーティクル除去
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ジェイ・イー・ティ |
200・300mmのバッチ式と高温枚葉式を展開 |
バッチ式・枚葉式・薬液洗浄
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200・300mmウェーハ、前工程量産ライン
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前工程洗浄、膜除去、レジスト剥離、高温薬液処理
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PHT |
ウェハ搬送・剥離・洗浄を一体で設計 |
バッチ式・枚葉式・剥離洗浄・自動搬送
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200・300mm、Si・SiC・GaN・InP・ガラス
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ワイヤーソー後、研磨後、アルカリエッチング、キャリア基板洗浄
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至純 PNC Japan |
200・300mmの50枚バッチ式ウェットベンチを展開 |
50枚バッチ式ウェット洗浄・IPA乾燥
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200・300mmウェーハ、FOUP・SMIF対応
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PR剥離、前後洗浄、窒化膜除去、メタルエッチング
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プレテック |
カセットレス搬送と高周波洗浄技術を組み合わせる |
バッチ式・枚葉式・超音波・2流体洗浄
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Si・GaAs・フォトマスク・ディスク
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CMP後、研磨材・パーティクル除去、薬液・純水洗浄
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ジャパンクリエイト |
研究用小型機から量産自動機まで自社製造 |
バッチ式・枚葉式・スピン洗浄・超音波
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300mm、Si・化合物半導体・LED・FPD
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ウェーハ洗浄、ウェットエッチング、リンス、スピン乾燥
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エコーテック |
ウェハメーカー向け洗浄・薬液供給設備を個別設計 |
バッチ式・枚葉式・薬液洗浄・個別設計
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8・12インチ、Si・再生ウェーハ・化合物半導体
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CMP後、DSP後、ファイナル洗浄、酸・アルカリエッチング
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MTK |
SiC・GaNなど多様な基板を小型枚葉機で処理 |
枚葉式・両面・裏面・ベベル洗浄
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2~12インチ、Si・SiC・GaN・GaAs・InP・ガラス
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オゾン水・水素水洗浄、表裏面・エッジ洗浄、研究開発
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ナノテック |
SiC・GaNの研磨後洗浄に特化した枚葉装置を開発 |
枚葉式・オーダーメイド洗浄
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SiC・GaNなどの化合物半導体
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ラップ・研磨後洗浄、パワー半導体基板の精密洗浄
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高田工業所 |
リフトオフ・レジスト剥離向け枚葉装置とバッチ装置を設計 |
枚葉式・バッチ式・薬液洗浄
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2~12インチ、Si・SiC・GaN・GaAs・InP
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レジスト剥離、リフトオフ、RCA洗浄、有機薬液処理
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ダイキンファインテック |
開発から量産まで拡張できるモジュール式洗浄装置を展開 |
バッチ式・枚葉式・スクラブ・薬液洗浄
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Siウェーハ、MEMS、パワー半導体、開発~量産
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RCA洗浄、膜除去、ポリマー除去、レジスト剥離、各種エッチング
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ヴァリアス |
洗浄・剥離・薬液供給を工程条件に合わせて個別設計 |
枚葉式・バッチ式・スクラブ・超音波DIP
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4・6インチを含む各種ウェーハ・電子部品
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CMP後洗浄、レジスト剥離、スクラブ、リンス、乾燥、薬液供給
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ダイトロン |
枚葉・バッチ式のRCA洗浄をサンプル評価から検討 |
枚葉式・バッチ式のRCAウェット洗浄
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半導体ベアウェーハ、MEMS
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酸・アルカリ洗浄、レジスト剥離、薬液サンプルテスト
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セイブ |
洗浄装置の新規製作から既設機の改造・保守まで対応 |
ウェット洗浄・バッチ式・枚葉式ラップ後洗浄
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シリコンウェーハ、ガラス基板、各種半導体ワーク
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研磨後洗浄、HF洗浄、薬液洗浄、エッチング、装置改造
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ECP |
シリコンウェーハ向け特殊洗浄装置を仕様別に設計 |
カスタム洗浄装置・マルチクリーナー
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4・5・6・8インチ、300mmシリコンウェーハ
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シリコンウェーハ洗浄、特殊仕様、少量多品種装置
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エコー技研 |
150~450mmのウェーハ製造工程と50枚処理に対応 |
50枚バッチ洗浄・薬液洗浄・独自乾燥
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150・200・300・450mmシリコンウェーハ
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Pre、PostPolish、PostDSP、Epi前後、Final洗浄、薬液供給
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半導体洗浄装置メーカー20社の詳細
半導体洗浄装置の選び方を方式・ウェーハ・工程から整理
洗浄装置はメーカー名から選ぶのではなく、除去対象、ウェーハ材料、処理枚数、前後工程を先に整理して候補を分けます。試作機と量産機では必要な自動搬送や処理能力が異なり、同じ薬液を使う場合でも乾燥方式によってウォーターマークやパターン倒壊のリスクが変わります。
| 導入目的 | 候補になりやすい方式 | 確認する仕様 |
|---|---|---|
| 微細パターンを低ダメージで洗浄 | 枚葉式、メガソニック、低温エアロゾル | 洗浄力、パターン倒壊、表面荒れ、処理時間 |
| 多数のウェーハを一括処理 | バッチ式ウェットステーション | 1バッチの枚数、槽構成、薬液交換、再付着 |
| CMP後のスラリーを除去 | 枚葉式ブラシ、スクラブ、超音波・2流体 | 表裏面・エッジ、残留粒子、乾燥、研磨機連結 |
| SiC・GaNの研磨後洗浄 | 化合物半導体対応の枚葉式・バッチ式 | 材料適合、ウェーハ径、薄ウェーハ搬送、金属汚染 |
| 薬液・純水を抑えて処理 | ドライ洗浄、エアロゾル、プラズマ | 除去対象、膜ダメージ、チャージ、排気、処理能力 |
| 特殊基板や既設ラインへ導入 | オーダーメイド装置 | ワーク形状、搬送、薬液、設置面積、既設通信 |
枚葉式・バッチ式・ドライ洗浄の違い
枚葉式洗浄装置
枚葉式はウェーハを1枚ずつ処理し、ウェーハごとに薬液、リンス、物理洗浄、乾燥の条件を制御します。微細パターン、CMP後、表裏面・エッジなど、処理条件を細かく変えたい工程に向きます。比較時はチャンバー数、ウェーハ1枚当たりの処理時間、レシピ切り替え、搬送中の乾燥防止を確認します。
バッチ式洗浄装置
バッチ式は複数枚のウェーハをキャリア単位で処理槽へ投入します。酸化拡散前洗浄、膜除去、レジスト剥離など、同一条件で多数枚を処理する工程に向きます。1バッチの枚数だけでなく、薬液の持ち込み、パーティクル再付着、槽間搬送、IPA乾燥などを同じ条件で比較します。
ドライ洗浄装置
ドライ洗浄は、低温エアロゾルやプラズマなどを使い、薬液や純水を使わずにパーティクルや残膜を除去する方式です。水分や薬液による腐食、ウォーターマーク、微細構造へのダメージを避けたい工程で候補になります。ただし、除去できる汚染物質や膜への影響が方式ごとに異なるため、実サンプルで表面状態を確認します。
200mm・300mmとSiC・GaNで変わる装置仕様
200mmと300mmでは、FOUP・SMIF、ロードポート、OHT・AGV、装置前面の構成が変わります。既存ラインへ増設する場合は、ウェーハ径だけでなく、キャリア、ノッチ・オリフラ、ID読み取り、上位通信、搬送高さをそろえる必要があります。
SiC・GaNなどの化合物半導体では、シリコン用レシピをそのまま流用できるとは限りません。研磨材、金属汚染、表面粗さ、薄ウェーハの保持、エッジ欠けなど、材料固有の評価項目を設定し、対応実績のある装置でサンプル洗浄を行います。
工程別に見る半導体洗浄装置
RCA洗浄・酸化拡散前洗浄
RCA洗浄では、パーティクル、有機物、金属汚染、自然酸化膜を工程条件に合わせて除去します。薬液濃度、温度、処理時間、槽材質、超純水、乾燥まで一連の条件として比較します。
CMP後洗浄
CMP後は、研磨スラリー、パッド由来の粒子、金属汚染を除去します。表面だけでなく裏面・エッジへの回り込み、ブラシ接触による傷、研磨機から洗浄装置までのウェット搬送を確認します。
ポストエッチ・レジスト剥離
エッチング後やレジスト剥離では、ポリマー、残渣、不要膜を除去します。対象膜に対する選択性、腐食、薬液材質、防爆・排気、リンス後の残留を評価します。
ウェーハ製造の最終洗浄
ウェーハメーカーの最終洗浄では、出荷品質を満たすパーティクル・金属汚染管理と量産安定性が重要です。50枚処理、乾燥、GEM300、OHT・AGV連携など、ライン全体の仕様を確認します。
処理能力とTCOを比較する
装置本体価格だけでは導入後の負担を判断できません。処理能力、薬液・純水、排液、消耗品、保守、設置面積、停止時間を含めて比較します。
| 比較項目 | 確認する内容 |
|---|---|
| 処理能力 | WPH、1バッチの枚数、処理時間、チャンバー数、レシピ切り替え時間 |
| 洗浄品質 | 除去率、残留パーティクル、金属汚染、表面粗さ、ウォーターマーク |
| 薬液・純水 | 1枚・1バッチ当たりの使用量、再利用、交換頻度、排液処理 |
| 乾燥 | スピン、IPA、N2、独自乾燥、パターン倒壊や乾燥痕の有無 |
| 稼働率 | 予防保全、部品交換、槽・配管洗浄、復旧時間、国内保守拠点 |
| 設置・接続 | フットプリント、搬入、電源、排気、薬液、超純水、上位通信 |
サンプル洗浄評価で確認する項目
- 洗浄前後のパーティクル数とサイズ分布
- 金属汚染、有機物、レジスト・ポリマー残渣
- 表面粗さ、膜厚、エッチング量、選択比
- パターン倒壊、傷、欠け、腐食、ウォーターマーク
- 表面・裏面・エッジの清浄度
- 処理時間、WPH、薬液・純水使用量
- ウェーハ保持、薄ウェーハ搬送、反りへの追従
- 検査装置へ渡す欠陥マップやロット情報
半導体洗浄装置の導入手順
- 対象ウェーハ、工程、汚染物質、目標清浄度を整理する
- 枚葉・バッチ・ドライと必要な搬送方式を仮決定する
- メーカーへ同一条件のサンプルと評価基準を渡す
- 洗浄品質、処理能力、薬液・純水、乾燥を比較する
- 設置、ユーティリティ、上位通信、保守体制を確認する
- 量産レシピ、受入条件、検査方法を合意して導入する
半導体洗浄装置に関するFAQ
枚葉式とバッチ式のどちらを選べばよいですか?
微細パターンやウェーハごとの精密制御を重視するなら枚葉式、多数枚を同一条件で処理するならバッチ式が候補です。必要なWPH、薬液使用量、再付着、設置面積を同じ生産量で比較してください。
ドライ洗浄だけでウェット洗浄を置き換えられますか?
すべての汚染物質を置き換えられるとは限りません。ドライ方式はパーティクルや残膜に適する一方、金属汚染や自然酸化膜などは薬液処理が必要な場合があります。工程ごとにウェットとの併用を検討します。
SiC・GaNはシリコン用装置で洗浄できますか?
装置構成上は対応できても、薬液、保持、研磨材、薄ウェーハ搬送などの条件が異なります。対象材料の対応実績と実サンプルでの評価結果を確認してください。
処理能力はWPHだけを見ればよいですか?
WPHに加えて、レシピ切り替え、薬液交換、槽・チャンバー洗浄、搬送待ち、保守停止を含む実効稼働率を確認します。前後工程との速度差も含めてライン能力を計算します。
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半導体洗浄装置メーカーのまとめ
半導体洗浄装置は、枚葉式・バッチ式という分類だけでは選べません。対象ウェーハ、除去したい汚染物質、前後工程、処理能力、乾燥、薬液・純水、搬送・通信まで同じ条件で比較する必要があります。
候補を絞った後は、各社へ同じサンプルと評価基準を渡し、洗浄品質と量産条件を数値で確認してください。装置単体ではなく、検査、研磨、めっきなどの前後工程と接続したときの実効能力まで確認することが重要です。
- 免責事項
掲載内容は2026年7月24日時点で確認した各社公式サイトと製品情報をもとにしています。装置仕様、対応ウェーハ、洗浄方式、製品名、販売・保守体制は変更される場合があります。導入を検討する際は、対象ウェーハと要求仕様を提示したうえで各社へ最新情報を確認してください。

