ウェーハ検査装置は、パーティクルやスクラッチを探す装置だけではありません。パターンの有無、Si・SiC・GaNなどの材料、表面・裏面・エッジ・内部のどこを見るかで、適する検査方式と装置が変わります。
メーカーを比較するときは、検出感度だけでなく、対応ウェーハ径、処理能力、過検出の抑制、欠陥座標・画像の出力、レビュー装置やMESとの連携まで同じ条件で確認することが重要です。
ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社15社の比較表
対象ウェーハ・検査面、主な方式・検出対象、型番・対応径・処理能力を整理しています。感度や処理能力はサンプルと検査条件で変わるため、同じ条件の実機評価で比較してください。
| 会社名 | サービスの特徴 | 対象ウェーハ・検査面 | 主な方式・検出対象 | 型番・対応径・処理能力 |
|---|---|---|---|---|
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KLA Corporation |
パターン付き・未パターンウェーハを光学と電子線で検査 |
パターン付き・未パターン/表面・裏面・エッジ/先端パッケージ
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ブロードバンドプラズマ光学、レーザー散乱、電子線検査・レビュー、AI欠陥分類
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39xx・29xx・C30x・Surfscan・eDR。C30xは200mm・300mmのレガシーノードに対応
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株式会社日立ハイテク |
LSシリーズとDI4600で未パターン・パターン付き検査に対応 |
未パターン300mm/パターン付き/表面・裏面
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レーザー散乱、暗視野検査、DIC検査、欠陥座標出力、レビューSEM連携
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LS9300AD・LS9600・DI4600。LSシリーズはφ300mmに対応
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レーザーテック株式会社 |
SiC・GaN・エッジ・下層欠陥を用途別装置で検査 |
SiC・GaNのベア/エピウェーハ、表面、エッジ、下層欠陥
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表面・PL同時検査、多波長光学、エッジ検査、3D形状、レビュー・自動分類
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SICA88は6インチSiCで10WPH。用途別のウェーハ関連システムを展開
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株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ |
ZIシリーズでパターン付きウェーハを全面検査 |
パターン付きウェーハ/100mm~300mm/パワーデバイス・CIS・MEMS
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ラインセンサー全面検査、解像度別レンズ自動切替、CD・オーバーレイ測定オプション
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ZI-3600は100~300mm、1µm以下の欠陥検出に対応。ZI-2000は76~200mm
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Onto Innovation Inc. |
未パターン検査から先端パッケージのマクロ検査まで展開 |
未パターン・パターン付きウェーハ、パネル、積層ダイ、先端パッケージ
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欠陥検査、マクロ検査、2Dラインスキャン、3D計測、プロセス制御ソフトウェア
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PrimaScan・Dragonflyなど。対応径・処理能力は装置構成と検査条件ごとに確認
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Applied Materials, Inc. |
HawkEyeでパターン付きウェーハの暗視野欠陥検査に対応 |
パターン付きウェーハ/エッチング・CMP・成膜・リソグラフィ後
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暗視野光学検査、パーティクル・パターン欠陥・スクラッチ・ハンプ検出
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HawkEye Optical Wafer Inspection System。対応径・処理能力は構成ごとに確認
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Nikon Precision Inc. |
マクロ・ミクロ検査でポストデベロップとポストエッチに対応 |
ポストデベロップ・ポストエッチ/ウェーハ全面/イメージセンサー
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マクロ・ミクロ光学検査、ウェーハ全面検査、専用照明、ウェーハローディング
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OPTISTATION-3000・AMI-5700。処理能力などの詳細仕様は用途ごとに確認
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タカノ株式会社 |
WMシリーズで未パターンウェーハの表面粒子を検査 |
未パターンのベア・膜付きウェーハ/200mm以下・300mm
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レーザーダイオード、スパイラル走査、表面粒子検出、電子線レビュー座標連携
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WM-10Rは~300mm・48nm、WM-7SRは~200mm・79nm(61nmオプション)
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Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co. Ltd. |
形状・汚染・チッピング・マイクロクラックを複合評価 |
ウェーハ形状、表面汚染、エッジ、チッピング、マイクロクラック
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非接触形状計測、表面汚染分析、イメージング、チッピング・クラック検査
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用途別のウェーハ計測・検査製品群。対応径・処理能力は対象装置ごとに確認
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東京エレクトロン デバイス株式会社 |
150mm・200mmのSiCウェーハを表裏面・端面まで検査 |
SiC・SiCエピウェーハ/150mm・200mm/表面・裏面・端面・面内
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専用ラインセンサー、欠陥抽出・分類、色ムラ検知、表裏面・端面マルチ検査
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30~90秒/ウェーハ、2~10カセット、アライナー・IDリーダー・GEM対応
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Nova Ltd. |
寸法・材料・化学メトロロジーでウェーハ工程を管理 |
ロジック・メモリー・先端パッケージ/薄膜・形状・材料・化学状態
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光学散乱計測、干渉計測、ラマン、XRF、SIMS、化学分析、AIモデリング
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Nova i570・Prism・VeraFlex・Metrion・Ancolyzerなど。仕様は製品別に確認
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コマツNTC株式会社 |
1台で寸法・欠け・異物・反りなど多項目を全自動検査 |
φ300mmまで/表面・裏面・外縁部/ウェーハ素材・工程品
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自動搬送、画像処理、レーザーセンサー、寸法・欠け・異物・板厚・反り検査
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φ300mmまで。20項目検査で20秒/枚、装置寸法3,600×1,200×1,900mm
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株式会社神戸製鋼所 |
平坦度・エッジ形状・貼り合わせずれ・チッピングを計測 |
Si・SiCウェーハ/平坦度・厚さ・反り/エッジ・ノッチ・貼り合わせ
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静電容量・レーザー変位、ヘテロダイン干渉、光学画像処理、ラインスキャン
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SBW・LSW・LNSW、LEP・EPB・LEIシリーズ。取扱会社はコベルコ科研
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東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社 |
電子線とDie to Databaseで微細パターン欠陥を検査 |
パターン付きウェーハ/NAND・DRAM・ロジック/微細パターン
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広視野電子顕微鏡、Die to Database、パターン欠陥検査、2次元多点寸法計測
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NGR5000・NGR3500シリーズ。対応径・処理能力は対象工程ごとに確認
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株式会社リガク |
X線トポグラフでSiC・GaNなどの結晶欠陥を非破壊検査 |
Si・SiC・GaN・InP・GaAs・AlN・Ga2O3・サファイア/300mmまで
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X線トポグラフ、透過法・反射法、結晶欠陥マッピング、非破壊内部検査
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XRTmicronは300mmまで、Near-Fab・Fab構成は75~300mm。KLARF出力対応
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ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社15社の特徴
ウェーハ検査装置の選び方を4つの軸で整理
候補を絞る前に、ウェーハの状態、材料、検査面、検出対象を分けます。同じ「ウェーハ検査装置」でも、未パターン表面の粒子検査と、パターン付きウェーハの電子線検査、SiC内部の結晶欠陥検査では、原理も処理能力も異なります。
| 選定軸 | 主な区分 | 比較すべき仕様 |
|---|---|---|
| ウェーハ状態 | 未パターン、パターン付き、エピ、薄ウェーハ、貼り合わせ | 検査アルゴリズム、搬送方式、保持方法、レシピ切替 |
| 材料 | Si、SiC、GaN、GaAs、InP、サファイアなど | 光学条件、材料固有の欠陥分類、透過・反射特性 |
| 検査面 | 表面、裏面、エッジ・ベベル、面内・内部 | 一台で検査できる範囲、反転・エッジ搬送、死角 |
| 検出対象 | 粒子、傷、パターン欠陥、反り、膜厚、結晶欠陥 | 検出感度、過検出、WPH、座標・画像・KLARF出力 |
未パターンウェーハ検査装置の選び方
未パターンウェーハでは、パーティクル、スクラッチ、ウォーターマーク、COP、研磨・成膜起因の平坦欠陥などが主な対象です。レーザー散乱式はウェーハ全面を高速に検査しやすく、受入・出荷検査、プロセス装置の清浄度監視、材料評価に使われます。
選定時は公称検出感度だけでなく、背景ノイズが異なるベアウェーハと膜付きウェーハの両方で、見逃しと過検出を確認します。表面・裏面の反転、エッジグリップ、欠陥座標をレビューSEMへ渡せるかも量産運用に影響します。
パターン付きウェーハ検査装置の選び方
パターン付きウェーハでは、隣接ダイ比較、セル比較、設計データとの比較などで、ランダム欠陥とシステマチック欠陥を抽出します。光学式は全面検査の処理能力を確保しやすく、電子線式は微細パターンや電位差に由来する欠陥を詳しく検出できます。
光学式と電子線式はどちらか一方を選ぶだけではなく、光学検査で広くスクリーニングし、欠陥座標を電子線レビューへ渡す構成も有効です。対象ノード、レイヤー、パターン密度、必要なサンプリング率を決めてから、感度とWPHのバランスを評価します。
SiC・GaNウェーハ検査装置の選び方
SiC・GaNでは、表面の傷や粒子に加えて、エピ欠陥、BPD、TSD、マイクロパイプ、ポリタイプ、カーボンインクルージョンなど、材料固有の欠陥を扱います。表面光学、フォトルミネッセンス、X線トポグラフなど、目的の違う方式を組み合わせる必要があります。
外観欠陥の検査では、表面・裏面・端面を一台で扱えるか、材料固有の色ムラや内部欠陥を分類できるかを確認します。結晶欠陥の評価では、非破壊で全面マッピングできるか、SEMI規格に沿った集計やKLARF出力ができるかが判断材料になります。
表面・裏面・エッジ・内部検査の違い
| 検査面 | 主な欠陥 | 装置選定の注意点 |
|---|---|---|
| 表面 | 粒子、スクラッチ、ヘイズ、パターン欠陥、膜ムラ | 感度とWPH、背景ノイズ抑制、過検出、全面走査方式 |
| 裏面 | 汚れ、傷、付着物、搬送・吸着由来の欠陥 | 反転機構、表裏の連続検査、裏面保持時の死角 |
| エッジ・ベベル | チッピング、クラック、剥離、汚染、貼り合わせずれ | 全周撮像、ノッチ部、3D形状、エッジ保持方式 |
| 内部・面内 | 結晶転位、インクルージョン、ポリタイプ、深さ方向の欠陥 | PL・X線などの方式、透過・反射、欠陥マッピング |
光学・レーザー散乱・電子線・X線の使い分け
| 方式 | 向いている検査 | 確認する仕様 |
|---|---|---|
| 明視野・暗視野光学 | パターン付きウェーハの全面検査、マクロ・微細外観欠陥 | 波長、照明角度、レンズ分解能、ダイ比較、WPH |
| レーザー散乱 | 未パターンウェーハの粒子・微小表面欠陥 | 検出感度、背景ノイズ、表裏面、座標精度、レビュー連携 |
| 電子線 | 微細パターン、電位差欠陥、高アスペクト比構造 | 分解能、検査面積、処理能力、チャージ対策、光学検査連携 |
| PL・X線 | SiC・GaNなどの結晶欠陥、内部・面内欠陥 | 対象材料、透過・反射、深さ情報、全面マッピング、規格出力 |
型番・検出感度・WPH・対応径を同じ条件で比較する
検出感度は、PSL粒子、欠陥の材質、高さ、形状、膜構成、照明条件によって変わります。「○nm」という数値だけを横並びにせず、どの標準粒子または実欠陥を、どのウェーハ表面で検出した値なのかをそろえます。
- 型番と検査方式が現在販売されている構成か
- 対応径が150mm、200mm、300mmのどこまでか
- 薄ウェーハ、反りウェーハ、エッジグリップに対応するか
- 感度の条件がPSL粒子か実欠陥か、ベアか膜付きか
- WPHまたは秒/ウェーハに搬送・レシピ切替時間を含むか
- 全面検査かサンプリング検査か
- 欠陥座標、画像、KLARF、CSVを出力できるか
サンプル評価で見逃し・過検出・再現性を確認する
導入前のサンプル評価では、良品と不良品だけでなく、量産中に判断が分かれる限度見本を用意します。欠陥の種類、位置、サイズが分かるサンプルと、ウェーハごとの表面ばらつきを含む複数枚を使うと、見逃し率と過検出率を現実的に評価できます。
- 見逃しを許容できない欠陥と、許容する外観差を定義する
- 欠陥種別ごとに正解データを用意する
- 複数回測定し、同じ欠陥を同じ座標・分類で再現できるかを見る
- 量産レシピで処理能力、品種切替、オペレーター操作を確認する
- レビューSEM、MES、SPC、歩留まり解析へのデータ受け渡しを試す
導入費用は本体価格だけでなくTCOで比較する
ウェーハ検査装置の費用は、検査ヘッド、搬送機構、ロードポート、レビュー機能、解析ソフトウェア、ライン接続、設置環境、保守契約で変わります。見積もりでは、本体価格に加えて立ち上げと量産後の運用費をそろえます。
| 費用項目 | 確認内容 |
|---|---|
| 装置・オプション | 検査ヘッド、表裏・エッジ機構、ロードポート、IDリーダー、レビュー機能 |
| 立ち上げ | 搬入、ユーティリティ、クリーンルーム対応、レシピ作成、サンプル評価 |
| システム連携 | SECS/GEM、GEM300、MES、SPC、KLARF、画像保存容量 |
| 保守・消耗品 | 光源、検出器、校正、定期保守、障害対応、部品供給期間 |
| 運用 | 検査時間、再検査、過検出のレビュー工数、レシピ管理、教育 |
ウェーハ検査装置とあわせて確認したい記事
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- パワー半導体製造装置メーカーを工程別に比較する
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ウェーハ検査装置に関するよくある質問
ウェーハ検査装置と半導体検査装置の違いは何ですか
ウェーハ検査装置は、ウェーハの表面、裏面、エッジ、内部にある欠陥や形状異常を調べる装置です。半導体検査装置はさらに広い概念で、フォトマスク検査、CD・膜厚計測、電気特性を調べるテスター・プローバ、後工程の外観検査なども含みます。
未パターンとパターン付きで同じ装置を使えますか
一つのメーカーが両方の製品を持つことはありますが、検査原理とアルゴリズムは異なります。未パターンではレーザー散乱による粒子・表面欠陥検査、パターン付きではダイ比較や設計データ比較によるパターン欠陥抽出が中心です。
SiCウェーハでは表面検査だけで十分ですか
表面欠陥だけでなく、エピ欠陥、結晶転位、内部欠陥、端面のチッピングなどを管理する必要があります。表面光学、PL、X線トポグラフなど、検出したい欠陥に合う方式を組み合わせます。
WPHが高い装置を選べば量産性も高くなりますか
カタログ上のWPHだけでは判断できません。搬送、アライメント、品種切替、再検査、過検出のレビューまで含めた実効処理能力を、量産レシピに近い条件で確認する必要があります。
ウェーハ検査装置メーカー・取扱会社のまとめ
ウェーハ検査装置は、ウェーハの状態、材料、検査面、検出対象の4軸を決めると候補を絞りやすくなります。未パターン表面の粒子検査、パターン付きウェーハの欠陥検査、SiC・GaNの結晶欠陥検査を同じ仕様だけで比較することはできません。
候補装置を絞った後は、実ウェーハを使ったサンプル評価で、感度、見逃し、過検出、再現性、実効処理能力、データ連携を確認します。装置本体だけでなく、レビュー工程とライン接続まで含めて比較することが、量産後の運用負荷を抑えるポイントです。
- 免責事項
掲載内容は2026年7月時点で確認した各社公式サイト・製品ページをもとにしています。装置の販売状況、型番、対応ウェーハ、検出感度、処理能力、オプション、保守範囲は変更される場合があります。導入時は対象サンプルと量産条件を各社へ提示し、最新仕様とサンプル評価結果をご確認ください。











