パワー半導体の製造装置は、Si、SiC、GaNといった材料や、エピ成長、イオン注入、熱処理、成膜、エッチング、研削、封止、検査などの工程によって候補が変わります。
装置メーカーを比較するときは、対応材料とウェーハ径だけでなく、処理温度、スループット、薄ウェーハ搬送、量産実績、前後工程との接続まで確認することが重要です。
パワー半導体製造装置メーカー17社の比較表
主な対応工程、代表装置・技術、対応材料・用途をもとに比較しています。実際の対応可否はデバイス構造、ウェーハ径、前後工程、処理量、要求品質によって変わるため、同じ仕様書と評価サンプルを用いて各社へ確認してください。
| 会社名 | サービスの特徴 | 主な対応工程 | 代表装置・技術 | 対応材料・用途 |
|---|---|---|---|---|
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東京エレクトロン |
SiCパワーデバイスの前工程を複数装置でカバー |
エピ成長、熱処理成膜、塗布現像、エッチング、ALD、洗浄
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Probus-SiC、ALPHA-8SE i、CLEAN TRACK ACT 8Z、UNITY Me+
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SiC、Si、GaN、75～200mm、研究開発・量産
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Applied Materials |
Si・SiC・GaN向けの材料形成工程を幅広く展開 |
エピ成長、イオン注入、CMP、絶縁膜・金属膜形成、エッチング
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SiC・GaN向け専用プロセス装置、Endura PVDなど
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Si、SiC、GaN、パワーMOSFET、IGBT、量産ライン
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AIXTRON |
SiC・GaNパワーエレクトロニクス向けMOCVD装置を展開 |
SiC・GaNエピタキシャル成長、MOCVD
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G10-SiC、G10-GaNなどの化合物半導体成膜装置
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150・200mm SiC、GaN、パワーエレクトロニクス量産
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ASM・LPE |
SiC専用エピタキシャルリアクターを研究開発から量産まで展開 |
SiCエピタキシャル成長、単枚・マルチウェーハ処理
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PE1O6などのSiCエピタキシャルリアクター
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150mm SiC、研究開発、パイロット、量産エピ工程
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KOKUSAI ELECTRIC |
SiC・GaN向けのバッチ成膜・表面処理装置を展開 |
バッチ成膜、酸化・拡散、アニール、表面処理
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縦型バッチ成膜装置、トリートメント装置
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SiC・GaN、150・200mm移行、パワーデバイス量産
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SCREENセミコンダクターソリューションズ |
洗浄・塗布・熱処理・検査を200mm以下の市場にも展開 |
ウェーハ洗浄、塗布現像、スプレーコート、熱処理、外観検査
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SUシリーズ、FCシリーズ、SC-80EX、LA-3100、ZIシリーズ
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Si・パワーデバイス、100～200mm、量産・少量多品種
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アルバック |
Si・SiC・GaNのパワーデバイス工程に真空装置を幅広く展開 |
イオン注入、スパッタ、蒸着、エッチング、アッシング、GaNエピ成長
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IHシリーズ、SOPHI、SME・SRH、NE、Luminous NA、SEGul-200
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Si IGBT、SiC、GaN、50～200mm、試作・量産
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サムコ |
SiC・GaN向けの低ダメージエッチングと成膜装置を展開 |
ICPエッチング、ALE、プラズマCVD、ALD、ドライ洗浄
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RIE-800iP、RIE-800iPC-ALE、PD-270STLC、AL-1、AD-800LP
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SiC・GaN、200mmまで、研究開発・生産
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ジェイテクトサーモシステム |
SiC特有の高温活性化・酸窒化・コンタクトアニールをカバー |
活性化アニール、酸窒化、コンタクト・裏面アニール
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VF-5300HLP、VF-5300H、RLA-4200-Vなど
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SiC・Si・GaN・Ga2O3、200mmまで、研究開発・量産
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日新イオン機器 |
SiC量産向けの高温イオン注入装置を専門展開 |
高温イオン注入、中電流・高エネルギー注入
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IMPHEAT-II、BeyEXシリーズなど
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SiCパワーデバイス、量産注入、EV・産業機器向け
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住友重機械工業 |
イオン注入とレーザアニールをパワー半導体へ展開 |
イオン注入、レーザアニール、真空・搬送コンポーネント
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高温注入対応装置、パワー半導体用レーザアニール
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Si・SiCパワー半導体、裏面活性化、量産ライン
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Axcelis Technologies |
パワーデバイス向けに高電流・中電流・高エネルギー注入を展開 |
イオン注入、高電流・中電流・高エネルギー
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Purion Power Series+、Purion XE Power Series+
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Si・薄ウェーハ・150mm SiC、パワーデバイス量産
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ディスコ |
SiCのインゴット切り出しから薄化・個片化まで加工技術を展開 |
SiCインゴットスライス、研削、研磨、ダイシング
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KABRA、DFG・DFPシリーズ、ダイシングソー、レーザソー
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SiCパワーデバイス、薄化、低カーフロス、高品質個片化
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東京精密 |
SiC・GaN難削材の研削とウェーハプロービングを展開 |
研削、CMP、エッジ加工、ダイシング、プロービング
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高剛性グラインダ、ポリッシュグラインダ、プローバ
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SiC・GaN、薄化加工、ウェーハテスト、量産工程
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レーザーテック |
SiC・GaNウェーハの欠陥検査とレビューを展開 |
SiC・GaNウェーハ欠陥検査、レビュー、膜厚・エッジ計測
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SICA108、GALOISシリーズなど
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SiC・GaN基板、エピウェーハ、デバイス工程の歩留まり管理
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TOWA |
パワーモジュール向けコンプレッションモールディングを展開 |
樹脂封止、コンプレッション・トランスファーモールディング
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パワーモジュール対応成形装置、INNOMSなど
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SiC・GaNパワーモジュール、大型・薄型パッケージ、量産封止
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アドバンテスト |
ウェーハから完成モジュールまでパワー半導体試験をカバー |
DC・AC試験、ウェーハ・ベアダイ・モジュールテスト
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MT100・MT200シリーズ、ADPアダプタ、専用フィクスチャ
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IGBT、MOSFET、ダイオード、SiC・GaN、量産・評価
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パワー半導体製造装置メーカー17社の詳細
パワー半導体製造装置の基礎と選び方
パワー半導体は、電力を変換・制御するための半導体です。Siを使うIGBTやMOSFETに加え、SiCやGaNを用いる次世代パワーデバイスの量産が進み、製造装置にも材料ごとの対応が求められています。
SiCでは高温処理と難削材加工、GaNではエピ層と低ダメージ加工が重要です。装置メーカーの知名度だけで判断せず、自社の材料、デバイス構造、対象工程、ウェーハ径、生産量を揃えて比較しましょう。
パワー半導体製造装置メーカーを比較するときの基準
| 比較項目 | 確認する内容 |
|---|---|
| 対応材料 | Si、SiC、GaN、Ga2O3など、対象材料での実績と専用機能 |
| 対象工程 | エピ成長、注入、熱処理、成膜、エッチング、加工、封止、検査 |
| ウェーハ径 | 100mm、150mm、200mm、300mmと将来の口径移行 |
| 生産段階 | 研究開発、パイロット、少量生産、全自動量産 |
| 量産性能 | 処理枚数、均一性、装置間マッチング、稼働率、品種切替 |
| ライン統合 | 自動搬送、ホスト通信、付帯設備、前後工程との接続 |
| 保守体制 | 国内拠点、部品供給、プロセス支援、予防保全、教育 |
パワー半導体の製造工程と必要な装置
| 工程 | 主な装置 | 管理する品質 |
|---|---|---|
| 結晶・ウェーハ形成 | 結晶成長炉、スライサ、研削・研磨装置 | 結晶欠陥、厚さ、平坦度、表面粗さ、材料ロス |
| エピタキシャル成長 | CVD・MOCVD・エピタキシャルリアクター | 膜厚、ドーピング、均一性、欠陥密度 |
| パターン形成 | 塗布現像、露光、ドライ・ウェットエッチング | 線幅、深さ、側壁形状、表面ダメージ |
| ドーピング・熱処理 | イオン注入、高温炉、RTA、レーザアニール | ドーズ、深さ、活性化率、接触抵抗、表面荒れ |
| 絶縁膜・電極形成 | CVD、ALD、PVD、蒸着、めっき | 膜質、密着性、界面準位、膜厚、抵抗 |
| 薄化・個片化 | グラインダ、ポリッシャ、ダイシングソー、レーザソー | 厚さ、反り、チッピング、加工ダメージ |
| 実装・封止 | ダイボンダ、焼結装置、ワイヤボンダ、モールディング装置 | 接合強度、放熱、ボイド、反り、絶縁性 |
| 検査・テスト | 欠陥検査、プローバ、パワーテスタ、信頼性試験装置 | 外観欠陥、耐圧、オン抵抗、リーク、短絡耐量 |
Si・SiC・GaNで異なる装置要件
Siパワー半導体
Si IGBTやMOSFETは成熟した製造基盤を利用しやすい一方、縦型デバイスでは裏面薄化、裏面注入、電極形成、レーザアニールが重要です。薄ウェーハを割らずに搬送できるか、既存200mmラインのレシピやカセットと互換性があるかを確認します。
SiCパワー半導体
SiCでは、エピ層の欠陥低減、高温イオン注入、1500℃以上の活性化アニール、硬いウェーハの薄化・個片化が課題になります。200mm化を検討する場合は、対応径だけでなく、反り、温度均一性、搬送安定性、消耗工具、スループットを実ウェーハで評価します。
GaNパワー半導体
GaNでは、GaN-on-Si、GaN-on-SiCなど基板構成によってエピ成長と後工程の条件が変わります。MOCVD・スパッタエピの選択、低ダメージエッチング、ゲート絶縁膜形成、金属電極、ウェーハ反りへの対応を確認します。
材料・デバイス構造・工程を固定して候補を絞る
装置メーカーへ問い合わせる前に、Si・SiC・GaNの区分、MOSFET・IGBT・ダイオード・HEMTの構造、対象工程を明確にします。同じSiCでも、基板製造、エピ成長、トレンチMOSFET、裏面電極、モジュール封止では候補メーカーが異なります。
ウェーハ径と量産移行を確認する
研究用4インチ、量産6インチ、次期8インチでは、搬送、温度均一性、処理枚数、装置面積、付帯設備が変わります。将来の200mm化を想定する場合は、装置本体の改造で対応できるのか、別機種が必要なのか、既存レシピをどこまで移管できるのかを確認します。
仕様値ではなく実サンプルの結果を比較する
膜厚均一性、エッチングレート、注入スループット、温度均一性、研削速度などの仕様値は、サンプルとレシピによって変わります。候補メーカーへ同じウェーハ、膜構成、パターン、評価方法を提示し、欠陥、電気特性、歩留まりに直結する指標で比較します。
前後工程・自動搬送・工場設備を含める
装置単体で処理できても、FOUP・SMIF、OHT・AGV、MES、ホスト通信、薬液・ガス供給、排気・除害、冷却水が既存工場と合わなければ導入できません。装置本体、付帯設備、搬送、工場側工事の責任分界を見積もり前に整理します。
国内保守と部品供給を確認する
量産設備では、故障時の初動、フィールドサービス拠点、予備部品、消耗品、プロセスサポート、ソフトウェア更新が稼働率を左右します。海外メーカーを含めて比較する場合は、日本語対応、国内在庫、リモート支援、保守契約の範囲を確認します。
パワー半導体製造装置の費用を左右する項目
パワー半導体製造装置は個別見積もりが中心で、工程横断の一律な価格相場は示せません。装置本体だけでなく、プロセスチャンバー、自動搬送、ガス・薬液・排気・除害、検査機器、レシピ開発、据付・検収、保守契約まで含めて総所有コストを比較します。
| 費用項目 | 金額が変わる条件 |
|---|---|
| 装置本体 | 工程、チャンバー数、ウェーハ径、処理枚数、温度・真空性能 |
| 自動化 | 手動・半自動・全自動、FOUP・SMIF、OHT・AGV、MES連携 |
| 付帯設備 | 電源、冷却水、ガス、薬液、排気、除害、安全設備 |
| 立ち上げ | 搬入、据付、プロセス開発、サンプル評価、教育、検収 |
| 維持管理 | 保守契約、予備部品、消耗工具、薬液、ガス、校正、定期点検 |
装置メーカーへ提示する仕様
- 材料、デバイス構造、対象工程、前後工程
- ウェーハ径・厚さ・反り、裏面状態、キャリアの有無
- 膜種、膜厚、パターン、トレンチ深さ、アスペクト比
- 温度、圧力、ガス・薬液、許容汚染、クリーン度
- 目標処理枚数、タクト、稼働率、品種切替頻度
- 評価指標、サンプル試験方法、受入・検収条件
- 自動搬送、ホスト通信、トレーサビリティ、セキュリティ
- 設置面積、搬入経路、電源、冷却水、排気・除害
- 保守体制、部品供給、教育、レシピ移管、増産計画
パワー半導体製造装置に関するFAQ
パワー半導体メーカーと製造装置メーカーの違いは何ですか？
パワー半導体メーカーはMOSFET、IGBT、ダイオード、パワーモジュールなどのデバイスを設計・製造します。製造装置メーカーは、それらを作るための成膜、加工、熱処理、封止、検査装置を提供します。発注先を探す場合は両者を混同しないことが重要です。
SiC製造装置はSi用装置をそのまま使えますか？
塗布現像や洗浄など共用しやすい工程もありますが、高温イオン注入、高温活性化アニール、SiCエッチング、難削材の研削・ダイシングでは専用機能が必要です。共用可否は汚染区分、温度、搬送、材料へのダメージを含めて確認します。
200mm対応装置を選べば将来の量産へ対応できますか？
ウェーハ径の対応だけでは不十分です。200mmでの処理均一性、反り・薄ウェーハ搬送、処理枚数、稼働率、前後工程の対応径、消耗品供給、検査能力まで揃っているかを確認します。
中古装置は選択肢になりますか？
成熟したSiパワーデバイス工程では候補になりますが、SiC・GaNの専用プロセスでは温度、材料、搬送、制御仕様が不足する場合があります。処理履歴、汚染、改造可否、部品供給、メーカー保守、再立ち上げ費用を確認してください。
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パワー半導体製造装置メーカーのまとめ
パワー半導体製造装置メーカーを比較するときは、会社規模や製品数ではなく、材料、デバイス構造、対象工程、ウェーハ径、研究開発・量産の区分を先に整理することが重要です。
SiCではエピ成長、高温注入、高温アニール、難削材加工、欠陥検査が重要になり、GaNではエピ層、低ダメージ加工、絶縁膜・電極形成が選定を左右します。候補メーカーへ同じ仕様書と評価サンプルを提示し、処理結果、量産性、前後工程との接続、総所有コスト、保守体制を比較して選定しましょう。
- 免責事項
掲載内容は2026年7月12日時点で各社の公式サイトおよび公式資料から確認した情報です。装置の仕様、対応材料、ウェーハ径、販売状況は変更される場合があるため、導入時は各メーカーへ現行情報をご確認ください。
