CVD装置メーカー7社を比較!成膜方式・対象膜と研究開発/量産用途の選び方

最終更新日:2026年11月11日

CVD装置は、同じメーカー比較でも、金属配線用の成膜装置とMEMS向けの絶縁膜装置では候補が変わります。基板の耐熱温度や必要な膜、処理枚数を整理せずに選ぶと、仕様検討の段階で装置構成を見直すことになります。

まず対象膜・基板条件・研究開発か量産かをそろえ、その条件に対応するメーカーへ評価を依頼すると、比較を進めやすくなります。半導体・MEMS用途を中心に7社を比較し、装置選定で確認したい条件をまとめました。

目次

CVD装置メーカーを比較する前の確認事項

成膜したい膜と基板の条件

絶縁膜、パッシベーション膜、金属膜では、原料ガスや反応条件、評価する特性が異なります。膜厚、膜応力、屈折率、抵抗率、段差被覆性など、製品に必要な指標を先に整理してください。平面のテスト基板で得られた膜質だけでなく、実際の基板形状や下地材料で評価できるかも確認します。

研究開発と量産で異なる装置構成

試料の種類を変える研究開発では、条件変更や清掃、少量試料の扱いやすさが検討事項になります。量産では、搬送、処理枚数、レシピ管理、稼働率、保守まで含めた構成が必要です。枚葉式かバッチ式かだけで性能を判断せず、要求膜質を満たした条件での処理能力を比較します。

関連技術との区別

ALDは原料を順番に供給して表面反応を利用する技術で、CVDと併せて扱うメーカーもあります。また、MOCVDは化合物半導体などの結晶成長で検討する方式です。今回の比較対象は半導体・MEMS向けを中心としており、必要な材料系に応じて専用装置の検討範囲を広げてください。

CVD装置メーカー7社の比較表

掲載内容は2026年11月6日の確認情報に基づきます。掲載順は優劣の順位ではありません。装置仕様・供給状況は各提供元で最新情報を確認してください。

会社名 サービスの特徴 成膜方式・代表装置 対象膜・用途 基板・研究/量産への対応

東京エレクトロン

半導体の電極・接続部をつくる、300mmウェーハ向け金属成膜装置

枚葉CVD/Triase+シリーズ
Ti・TiN・Wなどの金属成膜。コンタクト、ビアなど
300mmウェーハ。複数のプロセスモジュールを組み合わせる量産向け構成

KOKUSAI ELECTRIC

複数のウェーハをまとめて処理する、半導体量産向け成膜装置

LP-CVD/AdvancedAce-II、QUIXACE-IIなど
半導体ウェーハのCVD膜・酸化膜など。膜種は構成ごとに確認
ミニバッチ・ラージバッチを展開。代表的な掲載装置は300mmウェーハ対応

サムコ

絶縁膜や保護膜をつくる、研究開発用から生産用までのCVD装置

プラズマCVD/PDシリーズ、液体ソースCVD/LSCVD
シリコン・化合物半導体の絶縁膜、パッシベーション膜。酸化膜・窒化膜など
研究開発用ロードロック装置、多数枚処理、カセット対応生産装置。機種ごとに基板径が異なる

アルバック

トレイに載せた基板へ絶縁膜・バリア膜をつくる量産用PE-CVD装置

PE-CVD/CMEシリーズ
SiO2、SiNx、SiON、a-Siなど。パワーデバイス、MEMS、OLED等
トレイ搬送方式の量産用装置。CME-200E・400E・500Eで対応基板サイズが異なる

住友精密工業(SPT/旧SPPテクノロジーズ)

MEMSや光学用途の膜づくりに対応する、構成を選べるPECVD装置

PECVD/Cetus・Capella
SiO2、SiNなど。MEMS、TSV、パッシベーション、光学用途
200mmウェーハ向け。研究開発・試作・少量生産・量産に応じたプラットフォーム

神港精機

600mm基板へシリコン酸化膜をつくる大型プラズマCVD装置

プラズマCVD/ロードロック式装置
シリコン酸化膜。薄膜キャパシタなど
600mm基板対応の大型装置。対象形状・処理枚数・搬送仕様は個別確認

Lam Research

半導体の絶縁膜・金属膜を、用途と工程ごとにつくる成膜装置群

PECVD/VECTOR、CVD・ALD/ALTUS、HDP-CVD/SPEEDなど
絶縁膜、金属膜、ギャップフィル。メモリ、ロジック、パワー等
半導体製造向けの成膜プラットフォーム。プロセス別に装置・構成を選定

掲載企業・サービスの詳細情報

東京エレクトロン

半導体の電極・接続部をつくる、300mmウェーハ向け金属成膜装置

東京エレクトロンは、半導体の電極や配線の接続部に使う金属膜を形成する装置を提供しています。代表的なTriase+シリーズは、300mmウェーハを1枚ずつ処理する枚葉式の成膜装置です。Ti(チタン)、TiN(窒化チタン)、W(タングステン)など、つくりたい膜と製造工程に合わせた装置を展開しています。

特徴は、異なる工程を担うプロセスモジュールを組み合わせられることです。W向けの装置では、膜の下地となる核付け層をつくり、その上にCVDで膜を形成する工程を同じモジュール内で行います。微細な穴に金属膜を付けるコンタクトプラグ形成や、配線をつなぐビアを埋める工程が対象です。

300mmウェーハを使う半導体量産工程で、金属膜の形成方法と装置構成を検討する企業が候補にできるメーカーです。必要な金属膜の電気抵抗、段差や穴への膜の付き方、許容する温度によって、採用するモジュールや前後工程との組み合わせが変わります。

東京エレクトロンの会社概要

会社名東京エレクトロン株式会社
所在地東京都港区赤坂5-3-1 赤坂Bizタワー38F
URLhttps://www.tel.co.jp/

KOKUSAI ELECTRIC

複数のウェーハをまとめて処理する、半導体量産向け成膜装置

KOKUSAI ELECTRICは、半導体の回路をつくるために必要な薄膜を、ウェーハ上へ形成する装置を提供しています。減圧CVDに加え、酸化、アニール、拡散、ALDなどを扱い、半導体メーカーが必要とする成膜や熱処理の工程に応じて装置を選ぶ構成です。

製品には、複数のウェーハをまとめて処理するバッチ式の成膜装置があります。300mmウェーハに対応するAdvancedAce-IIやQUIXACE-IIは、CVD膜・酸化膜の形成を対象とするラージバッチ装置です。温度制御だけでなく、ウェーハの自動搬送、真空・ガス置換、冷却までを含む装置として、一連の処理を検討できます。

複数枚を同じ条件で処理する量産工程を計画し、処理枚数と工程時間から装置を選びたい企業にとって比較対象になります。同社にはミニバッチ装置もありますが、すべての製品が同じ成膜方式に対応するわけではありません。ALD対応をCVD対応と同一視せず、対象レシピ、膜厚分布、搬送や冷却を含めた処理条件で候補を絞ります。

KOKUSAI ELECTRICの会社概要

会社名株式会社KOKUSAI ELECTRIC
所在地東京都千代田区大手町1-9-5 大手町フィナンシャルシティ ノースタワー23階
URLhttps://www.kokusai-electric.com/

サムコ

絶縁膜や保護膜をつくる、研究開発用から生産用までのCVD装置

サムコは、シリコン半導体や化合物半導体の表面に、電気を通しにくい絶縁膜や、表面を保護するパッシベーション膜をつくるCVD装置を提供しています。プラズマを使う方式と、TEOSなどの液体原料を使う液体ソースCVDがあり、形成する膜と試料の条件から選べます。

プラズマCVDには、研究開発用のPD-220NL、生産用のPD-2201LC、複数のウェーハを処理するPD-3800Lなどがあります。液体ソースCVDも、シリコン酸化膜などの形成に向けた研究開発用装置から、カセットを使って基板を扱う生産装置まで展開しています。

研究室で膜の条件を試す段階と、生産工程で繰り返し処理する段階をつなげて検討したい企業・研究機関が候補にできるメーカーです。同じメーカーの装置でも、対応する基板径や搬送方法は機種ごとに異なります。研究機から生産機へ移る際には、膜の条件をそのまま移せると考えず、装置構成の違いに応じて再評価する範囲を整理します。

サムコの会社概要

会社名サムコ株式会社
所在地京都府京都市伏見区竹田藁屋町36
URLhttps://www.samco.co.jp/

アルバック

トレイに載せた基板へ絶縁膜・バリア膜をつくる量産用PE-CVD装置

アルバックのCMEシリーズは、パワーデバイス、LED・LD、OLED、太陽電池、MEMSなどの製造で、基板へシリコン系の絶縁膜やバリア膜を形成する量産用PE-CVD装置です。プラズマを利用して成膜し、SiO2、SiNx、SiON、a-Siなどの膜に対応しています。

特徴は、基板をトレイに載せて搬送する方式です。ウェーハ以外の基板も、種類や形状、寸法に合わせて成膜を検討できます。CME-200E、CME-400E、CME-500Eは対応する基板サイズが異なるため、角形の基板などを扱う場合も、製品ごとの仕様と試料の搭載条件を照合できます。

ウェーハ以外の基板も含め、自社の試料をどのように運び、どの面へ膜を付けるかまで検討したい企業にとって比較対象になります。搭載できる基板寸法と、要求する膜厚・膜質を満たせる成膜範囲は別の条件です。基板の固定方法や耐熱性、トレイ上の膜厚分布も含めて、必要な構成を判断します。

アルバックの会社概要

会社名株式会社アルバック
所在地神奈川県茅ヶ崎市萩園2500
URLhttps://www.ulvac.co.jp/

住友精密工業(SPT/旧SPPテクノロジーズ)

MEMSや光学用途の膜づくりに対応する、構成を選べるPECVD装置

住友精密工業のSPTブランドは、MEMS、光学コーティング、半導体の保護膜などに使う、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成するPECVD装置を提供しています。MEMS用の低応力膜や光学用途の厚い膜など、つくりたいデバイスと膜の役割から検討できます。

CetusとCapellaのプロセスモジュールがあり、厚い酸化膜、低応力の窒化膜、TSVと呼ばれるシリコンを貫通する微細な穴への成膜などを対象とします。どちらも200mmウェーハに対応し、ロードロック式や、複数の処理室を組み合わせるクラスター構成を選べます。

研究開発・試作・少量生産・量産という用途に合わせ、処理室や基板搬送の構成を選びたい企業が比較できる装置です。ただし、CetusとCapellaでは対応材料や温度条件が異なり、同じ仕様として扱えません。必要な膜厚、膜の応力、穴や段差への膜の付き方に応じてモジュールを絞ります。

旧SPPテクノロジーズは2026年10月1日に住友精密工業へ統合されています。製品はSPTブランドで案内されており、現在の会社名は住友精密工業株式会社です。

住友精密工業(SPT/旧SPPテクノロジーズ)の会社概要

会社名住友精密工業株式会社
所在地兵庫県尼崎市扶桑町1-10
URLhttps://www.sptcorp.com/ja/

神港精機

600mm基板へシリコン酸化膜をつくる大型プラズマCVD装置

神港精機は、薄膜キャパシタなどの製作に使うシリコン酸化膜を、大きな基板へ形成するプラズマCVD装置を提供しています。600mm基板に対応する大型装置を扱っており、半導体ウェーハの直径だけでは候補を絞りにくい案件でも、基板の寸法から検討できるメーカーです。

製品は、試料を出し入れする空間と成膜を行う空間を分けるロードロック式です。

大面積の基板へシリコン酸化膜を形成したい企業・研究機関は、必要な基板形状と膜質を示して適用範囲を相談できます。600mm基板への対応だけで、任意の形状・材質の試料や、すべての膜種を扱えるとは判断できません。試料の固定方法、許容温度、膜を付けたい範囲、必要な膜質に加え、大型装置を設置するためのスペースも選定条件になります。

神港精機の会社概要

会社名神港精機株式会社
所在地兵庫県神戸市西区高塚台3-1-35
URLhttps://www.shinko-seiki.com/

Lam Research

半導体の絶縁膜・金属膜を、用途と工程ごとにつくる成膜装置群

Lam Researchは、半導体の回路を電気的に分離・保護する絶縁膜や、電気を通す接続部に使う金属膜を形成する装置を提供しています。複数の製品群を展開しており、膜の役割やデバイスの構造から、必要な成膜方式と装置を選べます。

例えば、VECTORはプラズマCVDによる絶縁膜形成を、SPEEDは高密度プラズマCVDによって微細なすき間を絶縁膜で埋める工程を扱います。ALTUSはCVDとALDを組み合わせた金属膜形成を対象とし、タングステンを使う半導体の接続部などに対応します。必要な膜と、膜を付ける位置・形状によって候補が変わります。

半導体の量産工程で、絶縁膜や金属膜の形成方法を工程ごとに検討する企業にとって比較対象になるメーカーです。製品名やCVDという分類だけで同じ仕様と考えず、対象の膜種、基板、穴や溝の形状に合う構成を選びます。国内の対応窓口、成膜条件を決めるための支援、導入後の保守範囲も含めて導入条件を整理します。

Lam Researchの会社概要

会社名Lam Research Corporation
所在地4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538, USA(米国本社)
URLhttps://www.lamresearch.com/

CVD装置を導入する前に整理したい基礎知識

CVDは原料ガスの反応を利用して薄膜を形成する技術

CVDはChemical Vapor Depositionの略で、原料ガスの化学反応を利用して基板表面に膜を形成する方法です。半導体の絶縁膜や保護膜などに利用されますが、装置を選ぶには「何を成膜するか」だけでなく、基板の材質、形状、許容温度、必要な膜質を具体化する必要があります。同じ膜種でも、前後の工程やデバイスの構造が違えば適した成膜条件は変わります。

見積もりを依頼するときは、膜厚の目標値と許容差、基板内の均一性、ロット間の再現性、評価したい電気特性などを整理します。研究段階で条件が固まっていない場合は、すべてを確定する必要はありません。必須の条件と、実験によって決める条件を分けると、メーカーに求める評価支援の範囲が明確になります。

熱CVDとプラズマCVDの違いを工程条件に結び付ける

熱CVDは熱エネルギーを、プラズマCVDはプラズマを利用して反応を進めます。プラズマを使えば低い基板温度で成膜できる場合がありますが、すべての材料で同じ膜質や温度条件を実現できるわけではありません。温度だけを比較せず、膜の密度、応力、組成、プラズマによる影響も評価対象にします。

例えば熱に弱い材料へ成膜する案件では、基板の設定温度だけでなく実際の温度履歴を確認します。一方、量産工程へ組み込む案件では、前工程から持ち込む汚染や後工程との相性も重要です。装置が対応する方式と、自社の試料で必要な膜が得られることを分けて判断してください。

ALDやPVDとの使い分けも検討する

成膜装置を探す過程ではALDやPVDも候補になります。ALDは原料を順次供給する表面反応を利用した成膜法で、CVDと同一のプロセスとして扱うと、方式ごとの条件を見落とします。PVDも含め、膜厚制御、形状への追従性、材料、処理時間などの要求から候補を整理することが大切です。

特に微細な溝や段差がある試料では、平坦な基板上の膜厚だけで採否を決めないようにします。評価試料に実際の構造を含め、上面・側壁・底部など必要な箇所の膜の状態を確認します。要求を満たせる方式が複数ある場合は、膜質の評価とあわせて生産能力、保守、費用を比較すると判断しやすくなります。

枚葉式とバッチ式は処理枚数以外も比較する

枚葉式は基板を一枚ずつ、バッチ式は複数の基板をまとめて処理する構成が基本です。ただし、処理枚数が多い装置が常に自社の生産に適するとは限りません。品種切替の頻度、試料の投入単位、必要なレシピの数、処理待ち時間などを含めて比較します。

研究開発では少量の試料を異なる条件で処理したい場面があり、量産では同一条件の安定した繰り返しが重視されます。カタログの成膜速度だけでは、搬送、昇温、冷却、チャンバーの清掃などを含む実際の処理能力は分かりません。見積もり条件には、一連の運転にかかる時間と想定稼働時間も記載しましょう。

基板サイズと搬送方式を事前に確認する

ウェーハ径が対応範囲に入っていても、厚さや反り、裏面の状態、固定方法によって追加の対応が必要になることがあります。小片試料や異形基板を使う場合は、キャリアやホルダーの仕様も確認します。試料の搭載方法が変わると、温度や成膜分布の評価条件も変わるためです。

手動投入と自動搬送では、必要な人員や作業手順が異なります。将来の自動化を想定する場合は、対応カセット、搬送経路、上位システムとの連携範囲も見積もり時に伝えます。「後から自動化する予定」があるだけでは、初期構成に必要なスペースや接続仕様が確保されるとは限らないので、拡張条件を文書に残します。

実試料によるテスト成膜で確認すること

テスト成膜では、メーカー側の標準試料だけでなく、自社の用途に近い試料と評価方法を用意します。評価する膜厚、均一性、密着性、応力、電気特性などを先に決め、測定方法と測定点もそろえます。数値を比べる際は、基板サイズや膜厚、温度などの条件が同じかを確認してください。

一度の良好な結果だけでなく、繰り返し運転や条件変更後の再現性も検討事項です。試験前に試料の取扱条件、返却の要否、データの共有範囲を決めておくと、評価後の認識違いを減らせます。必要な膜質を満たせなかった場合に追加試験を行えるか、その費用と日程も確認しておきましょう。

設置場所は装置の外形寸法だけで決めない

CVD装置の導入には、電源や冷却水、ガス供給、排気など、装置に合う設備の確認が必要です。必要な設備は装置とプロセスで異なるため、既存の実験室や工場へそのまま設置できるとは限りません。装置本体に加え、ポンプ、除害装置、ガス供給設備、保守の作業空間を含めて配置を検討します。

搬入経路や床の条件、配管工事の担当範囲も、発注前に確認したい項目です。特に原料や副生成物の取扱いは、安全担当者とメーカーを交えて検討してください。個別のガスや設置条件によって必要な対策が変わるため、一般的な仕様だけで運用条件を決めず、設備側と装置側の責任範囲を明確にします。

本体価格と導入・運用費用を分ける

費用の比較では、装置本体、オプション、搬入据付、設備工事、試運転、教育を分けて確認します。同じ見積金額でも、ポンプやガス系統、除害設備が含まれるかによって導入総額は変わります。必要な付帯設備が別途手配の場合は、調達先と納期の調整も必要です。

運用費には原料や各種ガス、電力、消耗品、定期交換部品、清掃、保守などを含めます。消耗品の交換周期は運転条件に左右されるため、想定する膜種、処理量、稼働時間を伝えて試算を依頼します。費用が公表されていない装置は、公式サイトに記載なし。直接お問い合わせください。条件をそろえた個別見積もりで比較することが基本です。

保守契約と停止時の対応を比較する

故障時の連絡先だけでなく、対応時間、遠隔支援の有無、現地対応の範囲、交換部品の供給方法を確認します。保守拠点が国内にあっても、すべての部品を国内在庫から調達できるとは限りません。重要部品の納期や、自社で保持する推奨予備品についても相談しておくと、停止時の計画を立てやすくなります。

チャンバーの清掃や部品交換を自社で行う場合は、作業手順と教育の範囲も重要です。メーカーへ任せる作業と自社担当者が行う作業を分け、安全な復旧手順まで確認します。生産への影響が大きい工程では、修理費用だけでなく、停止中の代替手段や再立上げ後の膜質確認も運用計画に含めましょう。

複数の膜種を扱う場合は切替条件を確認する

一台で異なる膜種や原料を扱う計画では、切替時の清掃、部品交換、ガス経路の扱いを確認します。対応材料の一覧に含まれることと、同じ構成で連続して運用できることは同じではありません。材料の持込みや残留が次の工程へ影響しないか、評価が必要です。

多用途の研究装置を導入する場合は、利用者ごとの試料とレシピを整理し、使用してよい材料と事前相談が必要な材料を決めます。清掃後に標準試料で状態を確認する方法も、運用開始前に合意しておくと安心です。将来追加したい原料やプロセスがある場合は、対応可否だけでなく、必要な改造と再評価の範囲も確認してください。

検収条件と量産移行の条件を決める

発注前には、どの試料と条件で何を確認できれば検収とするかを合意します。工場出荷前の試験と現地据付後の試験では、設備条件が異なります。試験項目、測定方法、データの提出形式、未達時の対応を明文化すると、装置が届いてからの認識違いを防ぎやすくなります。

研究装置から量産装置へ移行する場合も、同じ設定値を移すだけで同じ結果になるとは限りません。チャンバーや基板サイズ、搬送、ガス供給の違いを踏まえ、再評価が必要な項目を整理します。比較表で候補を絞った後は、要求仕様書、テスト成膜、付帯設備、保守、検収条件を共通の資料にまとめ、各社の提案の違いを確かめてください。

CVD装置に関するよくある質問

Q1. CVD装置とALD装置は同じものですか?

同じものとして扱うことはできません。ALDは原料を順次供給する表面反応を利用した成膜法で、必要な膜厚、形状への追従性、材料、処理時間などから使い分けます。両方の方式を扱うメーカーでも、対象のプロセスと装置構成を個別に確認してください。

Q2. 研究開発用と量産用では何を比較すればよいですか?

研究開発用では試料や条件の変更、量産用では処理能力と繰り返し運転の再現性などを重視します。基板サイズ、投入単位、搬送方式、レシピ変更、清掃を含む工程時間を整理し、将来の量産移行に必要な再評価も確認します。

Q3. 装置の価格はどのように比較できますか?

本体に加え、オプション、ポンプ、ガス供給・除害設備、据付、工事、教育、保守の範囲をそろえて比較します。公表されていない費用は、公式サイトに記載なし。直接お問い合わせください。要求仕様書を共通にして、各社へ個別見積もりを依頼する方法が基本です。

Q4. 小片試料や角形の基板も処理できますか?

装置の構成と試料の条件によります。基板の寸法だけでなく、厚さ、反り、材質、固定方法、有効成膜範囲を伝えて確認してください。キャリアを使う場合は、その条件での温度や膜厚分布も評価します。

Q5. 導入前のテスト成膜では何を確認しますか?

用途に近い実試料を使い、膜厚、均一性、組成、応力、密着性、必要な電気特性などを確認します。測定方法と条件をそろえ、一度の良好な結果に加えて、繰り返し運転や条件切替後の再現性も検討します。

Q6. 既存の実験室や工場へそのまま設置できますか?

装置とプロセスが要求する設備条件の照合が必要です。電源、冷却水、ガス供給、排気、付帯設備、搬入経路、保守空間を確認します。原料や副生成物の取扱いも含め、メーカーと施設の安全担当者で具体的な設置計画を検討してください。

免責事項
本記事は、2026年11月時点の情報をもとに作成しています。掲載各社の情報・事例をはじめコンテンツ内容は、現時点で削除および変更されている可能性があります。あらかじめご了承ください。